InGaN-GaN多量子阱的結構及其光學特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、分類號：TN；肝密級：單位代碼：10422學號：徊0lf68∥戶囊力季SHANDONGUNlVERSITY博士學位論文DissertationforDoctoralDegree論文題目：西咖魏≥仃國扔為凸籮％冱鶿娃和砌勃嘶卜晰咖扎越。一毗_懈。妒“鯽k沁f洲M以砷沙反以砌移伽愀作者姓名培養(yǎng)單位專業(yè)名稱勉遜冱應因鯊：喧2絲指導教師望至趣趁縫合作導師砂f哆年口畢月廠口日山東大學博士學位論文目錄目錄iCONTENTSiii摘要IABSTRAC

2、TV符號表X第一章緒論一l11人類照明的發(fā)展歷史112LED光源的發(fā)展歷史213III族氮化物材料與器件的發(fā)展與現(xiàn)狀514本論文的研究內(nèi)容與安排9參考文獻11第二章器件的制備與測試1521InGaN／GaN多量子阱LED器件的制備15211襯底材料的選擇15212外延生長方法192—2半導體材料中常見的光學過程252—21半導體材料中的光吸收過程26222半導體材料中的光發(fā)射過程3323樣品光學性質(zhì)的測試一35231光譜分析的方法352

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