B-clean濕法清洗工藝評價及優(yōu)化.pdf

1、半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的濕法清洗技術(shù)是伴隨著產(chǎn)品質(zhì)量的不斷提高而提高的，是以RCA 清洗技術(shù)為框架，經(jīng)過多年的不斷發(fā)展而形成的。 本文的主要研究方向就是如何在現(xiàn)有的條件下，通過工藝條件的改善提高清洗能力，使現(xiàn)有的工藝適應(yīng)0.13 微米線寬的清洗要求，并適合批量生產(chǎn)。 首先，在清洗模式上，分別從顆粒、顆粒去除率、金屬沾污、藥液濃度、電阻恢復(fù)、膜減量、DHF 刻蝕速率等多方面進行實驗評價，論證用標(biāo)準(zhǔn)的RCA 清洗方式（B-clean

2、）可以代替公司一直延用DRAM工藝清洗方式；然后通過改善B-clean工藝條件，滿足了0.13 微米清洗工藝對膜減量、表面均一性及清洗效果方面的要求，使其適合于0.13 微米量產(chǎn)；同時，通過實驗證明了改變DHF 配比濃度，可以減少清洗工程對外延層成長后缺陷數(shù)量的影響。 為了保證濕法清洗效果的穩(wěn)定性，本文建立有效的監(jiān)控生產(chǎn)線的方法，通過不同頻度的顆粒監(jiān)控、金屬污染監(jiān)控、氧化膜成長監(jiān)控、細菌培養(yǎng)監(jiān)控、GOI 監(jiān)控，保證清洗工程的穩(wěn)定，