高性能AlGaN-GaN HEMT肖特基特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、肖特基接觸是AlGaN/GaN HEMT 制備中的關(guān)鍵工藝之一，提高肖特基勢(shì)壘高度、減小理想因子和泄漏電流可以提高器件的擊穿電壓，進(jìn)而改善器件功率特性，良好的肖特基接觸特性是獲得高性能AlGaN/GaN HEMT 的基礎(chǔ)，所以開展AlGaN/GaN HEMT 肖特基特性的研究具有十分重要的意義。 本論文主要研究了AlGaN/GaN HEMT 制備中相關(guān)工藝對(duì)器件肖特基特性的影響，并對(duì)工藝進(jìn)行了優(yōu)化。首先對(duì)不同的表面處理工藝進(jìn)行了

2、比較，發(fā)現(xiàn)采用ICP O2 等離子體處理，并用HF(40％): H2O(1:5)溶液清洗刻蝕后表面，可以有效減小表面態(tài)密度，未經(jīng)處理的樣品肖特基接觸理想因子為2.6，處理后理想因子減小到1.8。 研究了離子注入隔離對(duì)肖特基特性的影響，發(fā)現(xiàn)B+離子的注入是導(dǎo)致采用注入隔離制作的器件的勢(shì)壘高度相對(duì)于干法刻蝕臺(tái)面的器件普遍偏低，而n 值普遍偏高的主要原因，通過對(duì)注入劑量及能量的優(yōu)化，獲得柵金屬化后理想因子1.6，柵電壓為-20V 時(shí)，

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