納米接觸中的磁電阻效應(yīng).pdf_第1頁(yè)
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1、由于磁電阻效應(yīng)在硬盤驅(qū)動(dòng)磁頭和磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器等方面的技術(shù)應(yīng)用起著極其重要的作用，因而它是人們研究的熱點(diǎn)之一。1999年，彈道磁電阻效應(yīng)(Ballisticmagnetoresistance)的發(fā)現(xiàn)激起了人們對(duì)亞微米級(jí)的鐵磁性納米接觸的研究熱潮。用機(jī)械方法制作的納米接觸的磁電阻效應(yīng)高達(dá)百分之幾百，他們將其歸因于傳導(dǎo)電子在納米接觸中形成的疇壁上的散射。最近，運(yùn)用電化學(xué)方法沉積方法制備的納米接觸也被運(yùn)用來研究彈道磁電阻效應(yīng)，用這種方法獲得的

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