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文檔簡介
1、大直徑硅單晶生長中，欲提高拉速就必須提高結(jié)晶速率，而要想提高結(jié)晶速率，則結(jié)晶前沿的物理狀態(tài)和結(jié)晶潛熱散發(fā)的良性循環(huán)就至關重要。由于硅單晶生長熱場的高溫性、密閉性以及影響熱場條件的復雜性，很難用靜態(tài)物理量來測量和研究，這也是全球該領域研究的難點。通過可測量的物理量和晶體生長理論，采用數(shù)值模擬研究晶體生長是一條重要的途徑。 本文對TDR-80 爐的熱系統(tǒng)進行了改造，在直拉爐中引入了熱屏、復合式導流系統(tǒng)及雙加熱器，設計出適合提高結(jié)晶速
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