熱蒸發(fā)法制備ZnMgO納米材料及其性能表征.pdf

1、低維納米結(jié)構(gòu)是當(dāng)前納米科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域一個(gè)重要的研究方向。納米ZnO材料由于其在電子學(xué)、光學(xué)和光子學(xué)等領(lǐng)域的優(yōu)異性能而倍受關(guān)注。通過Mg摻雜，可以實(shí)現(xiàn)對ZnO能帶調(diào)制作用，從而獲得更加廣泛的應(yīng)用。 本文在綜述目前ZnO一維納米材料的制備方法及摻雜的基礎(chǔ)上，選擇用熱蒸發(fā)法，不用催化劑的情況下成功制備出兩種ZnMgO的一維納米結(jié)構(gòu)，討論了其形成機(jī)理，并研究了其發(fā)光性能。其中取得的主要結(jié)果如下： 1.利用熱蒸發(fā)法，在850℃下制

2、備了兩種具有不同形貌的ZnMgO納米線，其組分為Zn0.84Mg0.16O和Zn0.12Mg0.88O，直徑在30-80nm之間。分別具有六角纖鋅礦和立方巖鹽礦結(jié)構(gòu)，且有良好的擇優(yōu)取向。 2.在850℃，Ar氣氛下退火后發(fā)現(xiàn)Zn0.84Mg0.16O納米線的PL譜發(fā)生藍(lán)移，表明實(shí)現(xiàn)了能帶調(diào)制作用。 3.利用ZnO納米形核中心，制備了ZnMgO準(zhǔn)直立納米棒陣列，具有兩段式結(jié)構(gòu)，上段直徑50nm左右，下段直徑200m，Mg含