真空熱蒸發(fā)輸運(yùn)法制備ZnO納米結(jié)構(gòu).pdf

1、氧化鋅(ZnO)作為典型的直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料，其較大的激子束縛能，使得ZnO成為繼氮化鎵(GaN)后在光電子、光通訊、傳感器等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景的一種非常重要的新型半導(dǎo)體材料，尤其在可見光發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器以及半導(dǎo)體紫外探測器等方面將發(fā)揮重要作用，并在軍工領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用價(jià)值。因此，ZnO一直成為眾多科研人員青睞的研究對象。
　　本文采用真空蒸發(fā)輸運(yùn)法制備了高質(zhì)量ZnO納米線陣列及不同形態(tài)的ZnO納米結(jié)構(gòu)，利用掃描

2、電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、等表征手段對制備的ZnO納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行了相關(guān)測試與分析。主要內(nèi)容包括：⑴在前兩章里，主要介紹：氧化鋅的基本性質(zhì)，如電學(xué)特性、壓電特性、氣敏特性等；氧化鋅的應(yīng)用及發(fā)展前景，如半導(dǎo)體可見光發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器以及半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管等；氧化鋅的生長機(jī)理，包括V-S生長機(jī)理與V-L-S生長機(jī)理等兩種主要機(jī)理；氧化鋅的制備方法及表征手段，如常見制備方法中的化學(xué)氣相沉積法、熱蒸發(fā)法、磁控濺射法，常用表

3、征手段中的光致熒光光譜(PL)和掃描電子顯微鏡等。⑵在后兩章中，介紹本論文的主要工作，包括實(shí)驗(yàn)過程和結(jié)果與分析。在實(shí)驗(yàn)中，制備ZnO納米結(jié)構(gòu)的方法采用的是較簡單的真空蒸發(fā)輸運(yùn)法，使用高純ZnO粉末作為熱蒸發(fā)的源材料，通過控制爐內(nèi)的壓強(qiáng)、溫度、襯底位置等條件，制備出了高質(zhì)量的ZnO納米線陣列，同時也生長出了不同尺度、不同形貌的ZnO納米結(jié)構(gòu)。通過SEM和XRD等表征手段對生長的ZnO納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行了相關(guān)的表征分析。通過表征分析發(fā)現(xiàn)，生長溫度