真空蒸發(fā)法制備氧化釩薄膜的工藝研究.pdf

1、氧化釩薄膜及其在微電子與光電子領(lǐng)域中的應(yīng)用已經(jīng)成為國(guó)際上相關(guān)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)之一.在某一特定的溫度處,氧化釩薄膜發(fā)生金屬-半導(dǎo)體相的轉(zhuǎn)變.由于氧化釩薄膜這種優(yōu)異的電學(xué)性能,它可以被應(yīng)用到許多領(lǐng)域,但是目前氧化釩薄膜的制備工藝還不是很成熟,需要進(jìn)一步研究.該文旨在研究以真空蒸發(fā)法制備具有熱敏特性的氧化釩薄膜.該文采用真空蒸發(fā)法制備氧化釩薄膜,結(jié)合相關(guān)理論制定了一系列實(shí)驗(yàn),研究不同制備條件下所得薄膜的性能差異.實(shí)驗(yàn)中以V<,2>O<,5>粉末

2、為原料采用真空蒸發(fā)法制備VOx薄膜,研究了基片類(lèi)型、基片溫度、薄膜厚度、退火等因素各自對(duì)氧化釩薄膜性質(zhì)的影響.運(yùn)用XRD(X射線衍射)分析和SEM(掃描電子顯微鏡)分析發(fā)現(xiàn)隨著基片類(lèi)型和基片溫度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明顯差異;經(jīng)過(guò)電性能測(cè)試發(fā)現(xiàn)隨著基片類(lèi)型、基片溫度、薄膜厚度以及測(cè)試方法的不同,薄膜的電阻率和電阻溫度系數(shù)發(fā)生顯著變化.通過(guò)實(shí)驗(yàn),我們制備出粒徑為200nm的多晶氧化釩薄膜,最高的TCR(電阻溫度系數(shù))達(dá)到-3