真空蒸發(fā)制備Sb摻雜CdTe薄膜及其特性研究.pdf

1、采用真空蒸發(fā)法在玻璃襯底上制備純的和金屬Sb摻雜的CdTe薄膜，在氬氣的保護(hù)下對(duì)薄膜進(jìn)行不同條件的熱處理。并采用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡、光電子能譜儀、紫外可見分光光度計(jì)和霍爾效應(yīng)測(cè)試儀對(duì)薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、化學(xué)成分和光、電性能進(jìn)行了測(cè)試分析。
　　實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn):金屬Sb摻入CdTe薄膜后，薄膜的物相結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電類型并沒有改變。但薄膜的三強(qiáng)衍射峰均有所增強(qiáng)，表明摻雜促進(jìn)了薄膜的結(jié)晶，薄膜的晶格常數(shù)略有減小、晶粒尺

2、寸有所增長(zhǎng)。而且摻雜Sb對(duì)CdTe薄膜的光、電學(xué)性能產(chǎn)生了非常明顯的影響。摻雜使薄膜在近紅外區(qū)域的吸收明顯增強(qiáng)，薄膜的吸收限向長(zhǎng)波方向移動(dòng)。這說明摻雜適量的Sb可以增寬CdTe薄膜的光吸收范圍，改變CdTe薄膜的能帶結(jié)構(gòu)，更有利于光電轉(zhuǎn)換的實(shí)現(xiàn)。同時(shí)摻雜使CdTe薄膜的載流子濃度增長(zhǎng)到1019/cm2數(shù)量級(jí)，使高阻狀態(tài)的CdTe薄膜電阻率下降到10-2-10-3Ω·cm，這將有助于減小CdTe薄膜太陽電池的串聯(lián)電阻提高電池的轉(zhuǎn)換效率。最