真空蒸發(fā)制備稀土摻雜ZnSe薄膜及其特性研究.pdf

1、采用真空蒸發(fā)法在玻璃襯底上制備了稀土Dy、Nd摻雜的ZnSe薄膜，在氮氣氣氛中，T=350℃，t=20min下對薄膜進行熱處理，并采用X射線衍射儀、X射線光電子能譜儀、紫外可見分光光度計以及原子力顯微鏡對薄膜的性能進行了測試。通過測試結(jié)果，分析并優(yōu)化了ZnSe薄膜的制備工業(yè)，同時研究了稀土Dy、Nd摻雜對ZnSe薄膜特性的影響。
　　 實驗結(jié)果表明：高純單質(zhì)鋅與硒按照原子配比Zn：Se=0.9:1混合蒸發(fā)，可制備較理想的純ZnS

2、e薄膜。在氮氣保護下，熱處理溫度。T≥250℃，t=20min時，可獲得完全為ZnSe物相的多晶薄膜，薄膜中未出現(xiàn)單質(zhì)Zn或單質(zhì)Se的物相。
　　 稀土摻雜對ZnSe薄膜的晶體學、光學性質(zhì)產(chǎn)生了明顯影響。摻雜Dy并未改變薄膜的晶體結(jié)構(gòu)及導電類型，但影響了薄膜表面形貌，抑制了ZnSe的結(jié)晶，還使得薄膜的晶粒尺寸和內(nèi)應力減小，晶格常數(shù)及晶胞體積變大，薄膜的光學帶隙有所減小，光透射性得到改善。摻雜Nd與摻雜Dy對ZnSe薄膜有相似的影