熱蒸發(fā)法制備氧化錫薄膜的工藝研究.pdf

1、二氧化錫(SnO2)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，禁帶寬度3.6～4.0eV，由于具有對可見光透光性好、紫外吸收系數(shù)大、電阻率低、化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛地應(yīng)用在高頻電子器件、太陽能電池及顯示器的電極材料以及氣敏傳感器等方面。
　　多種工藝可以用來制備二氧化錫薄膜，如磁控濺射、射頻濺射、金屬有機(jī)物熱分解法、超聲波噴霧熱解法、熱蒸發(fā)法、激光脈沖沉積、化學(xué)氣相沉積、溶膠-凝膠法等。其中熱蒸發(fā)法鍍膜具有設(shè)備簡單、操作容易、成本低廉等優(yōu)點(diǎn)而

2、成為一種具有重要工藝價(jià)值的制備方法。本研究試圖通過對氧化錫薄膜熱蒸發(fā)制備工藝的探索為工業(yè)應(yīng)用提供參考。
　　本文采用熱蒸發(fā)法制備氧化錫薄膜，結(jié)合相關(guān)理論制定了一系列實(shí)驗(yàn)。在不同的工藝條件下制備了氧化錫薄膜，對影響薄膜的生長條件，主要是溫度和環(huán)境壓力等參數(shù)進(jìn)行了研究。使用X射線衍射儀、拉曼譜儀對薄膜進(jìn)行了成分及結(jié)構(gòu)測試，并用掃描電鏡對薄膜的表面形貌進(jìn)行了觀測，用陰極發(fā)光方法測定了薄膜的發(fā)光性質(zhì)。
　　結(jié)果表明，對于不同的基材及