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文檔簡介
1、氧化鋅(ZnO)是一種重要的 II-VI族直接寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度為3.37eV,激子束縛能為60meV,廣泛應(yīng)用于短波長發(fā)光二極管、熒光材料、激光器、光敏器件、紫外探測器等光電子納米器件。同時,ZnO對生產(chǎn)設(shè)備要求較低,原料豐富,價格低廉,生產(chǎn)成本較低,其本身熱穩(wěn)定性能和化學(xué)穩(wěn)定性能都比較好,無毒無害,是一種環(huán)境友好型半導(dǎo)體材料,己成為繼GaN之后國際上新的半導(dǎo)體納米材料的研究熱點。
本論文主要研究以下兩個
2、部分的內(nèi)容:
1、以醋酸鋅和氫氧化鉀為反應(yīng)物,采用水熱法制備納米ZnO粉體,討論了反應(yīng)溶液中的乙醇含量、不同的OH―/Zn2+的摩爾濃度比等反應(yīng)條件對納米ZnO晶體的形貌和光學(xué)性能的影響,通過XRD、SEM和PL對ZnO樣品的結(jié)構(gòu)、形貌和光學(xué)性質(zhì)進行了測試分析,并探討了OH―/Zn2+的摩爾濃度比、乙醇和表面活性劑CTAB對納米ZnO晶體的生長及性質(zhì)的影響機制。
2、利用二次陽極氧化制備的多孔氧化鋁膜板模板為襯底,采
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