鉛基鈣鈦礦鐵電材料的水熱制備技術(shù)研究.pdf

1、本文采用氧化物前驅(qū)體，通過(guò)低溫水熱方法制備了純鈣鈦礦相的鈦酸鉛(PbTiO3，縮寫(xiě)為PT)粉體和摻鑭的鋯鈦酸鉛(Pb0.94La0.06(Zr0.65Ti0.35)0.985O3，縮寫(xiě)為PLZT)薄膜。分析了各種試驗(yàn)條件對(duì)制備PT粉體的微觀結(jié)構(gòu)的影響機(jī)制，并在此基礎(chǔ)上，探索了這些試驗(yàn)條件對(duì)制備PLZT薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及其電學(xué)性能的作用規(guī)律。 合成的PT粉體是純的鈣鈦礦相，其大小均勻，粒徑約為0.5微米。氫氧化鉀的濃度、前驅(qū)體中鉛的

2、含量以及反應(yīng)時(shí)間都對(duì)粉體的微觀形貌產(chǎn)生影響。通過(guò)對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)了水熱合成鈦酸鉛粉體的合成機(jī)理，即：在水熱條件下鈦酸鉛粉體沿著(100)晶面層狀結(jié)晶發(fā)育。 在合成鈦酸鉛粉體的基礎(chǔ)之上，采用氧化物前驅(qū)體低溫合成了摻鑭的鋯鈦酸鉛薄膜。該薄膜具有純的鈣鈦礦相結(jié)構(gòu)。薄膜表面光滑，結(jié)構(gòu)致密，沒(méi)有裂紋和孔洞。薄膜表面的晶粒大小均勻。薄膜的厚度可達(dá)于50微米。該薄膜具有優(yōu)良的電學(xué)性能。當(dāng)頻率為1MHz時(shí)，介電常數(shù)和介電損耗分別為665和0