H2S調控黃瓜耐冷性的生理機制研究.pdf

1、為了探討外源硫化氫（H2S）對黃瓜耐冷性的調控機理，以‘津優(yōu)3號’黃瓜為試材，采用葉面噴施硫氫化鈉（NaHS，H2S供體）和NaHS浸種兩種方法進行處理，以去離子水處理為對照（CK），研究內源H2S對低溫脅迫的響應，以及H2S對低溫下黃瓜葉片光合作用、抗氧化系統及產量的影響。
　　本研究主要內容包括：⑴低溫下黃瓜幼苗葉片內源H2S與L-/D-半胱氨酸脫巰基酶（CDes）活性先升高，4 h后降低，葉面噴施1.0 mmol·L-1Na

2、HS或用1.0 mmol·L-1 NaHS浸種，黃瓜幼苗葉片的H2S含量和CDes活性顯著升高；而H2S合成抑制劑羧甲基羥胺半鹽酸鹽（AOA）或清除劑次?；撬幔℉T）處理的H2S含量和CDes活性與CK差異不顯著，說明低溫可誘導CDes催化合成H2S，外源NaHS可增強CDes活性，促進H2S合成。⑵低溫下黃瓜幼苗葉片的電解質滲漏率（EL）和冷害指數明顯增大，NaHS可使黃瓜幼苗的EL和冷害指數的增加幅度明顯減小，而AOA和HT處理的與

3、CK差異不顯著，說明H2S可以緩解低溫脅迫對膜的傷害，提高黃瓜幼苗耐冷性。⑶低溫下黃瓜幼苗葉片的光合速率（Pn）、氣孔導度（Gs）、蒸騰速率（Tr）、核酮糖-1,5-二磷酸羧化酶（RuBPCase）、果糖-1,6-二磷酸酯酶（FBPase）、轉酮醇酶（TK）活性，以及暗下光系統Ⅱ最大光化學效率（Fv/ Fm）、光下實際光化學效率（ΦPSII）、電子傳遞效率（ETR）和光化學猝滅（qP）逐漸降低，胞間CO2濃度（Ci）、初始熒光（Fo）和

4、非光化學猝滅（NPQ）趨于升高。與CK相比，NaHS處理黃瓜幼苗葉片的Pn、Gs、Tr和RuBPCase、FBPase、TK活性，以及Fv/ Fm、ΦPSII、ETR和qP均顯著升高，Ci、Fo和NPQ明顯降低；而葉面噴施AOA和HT處理的與CK差異不顯著?？梢?，H2S會減輕低溫對黃瓜幼苗光合機構的破壞，維持較高的碳同化能力。⑷低溫脅迫可使黃瓜幼苗葉片的MDA含量增加，超氧化物歧化酶（SOD）、過氧化氫酶（CAT）、抗壞血酸過氧化物酶（

5、APX）和谷胱甘肽還原酶（GR）活性以及還原型谷胱甘肽（GSH）和抗壞血酸（AsA）含量先升高，后降低，過氧化物酶（POD）趨于升高。葉面噴施NaHS或NaHS浸種處理的MDA含量顯著低于CK，而SOD、POD、CAT、APX和GR活性及GSH和AsA含量明顯高于CK；葉面噴施AOA和HT的處理MDA含量、抗氧化酶活性及GSH和AsA含量多與CK差異不顯著。⑸在冬季日光溫室生產中，葉面噴施1.0mmol·L-1NaHS可減輕寒流對黃瓜生