BST薄膜的射頻濺射沉積及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、BaxSr1-x TiO3(BST)是一種性能優(yōu)良的鐵電材料，在微波領(lǐng)域有非常廣泛的應(yīng)用。
　　 本文采用射頻磁控濺射法在Si 襯底上成功制備了BST 薄膜，并研究了不同濺射工藝參數(shù)對薄膜結(jié)構(gòu)及介電性能的影響，總結(jié)了最佳濺射工藝。
　　 射頻磁控濺射濺射的BST 薄膜，在（111）晶面擇優(yōu)取向生長。退火處理可以使BST 薄膜結(jié)晶度更高，晶粒生長更加完整，能很好地釋放薄膜生長過程中所造成的內(nèi)應(yīng)力。
　　 襯底溫度越

2、高，薄膜結(jié)晶越好。高氧氬比的濺射氣氛有利于Sr、Mg、O 原子的沉積，而在低氧氬比的濺射氣氛中，Ba、Ti 原子的沉積速率較快。高氧氬比氣氛濺射的薄膜表面有針孔出現(xiàn)，質(zhì)量不如低氧氬比氣氛中濺射的薄膜。薄膜內(nèi)部晶粒的發(fā)育狀況不如表面晶粒，其粒徑很小，而且晶粒與晶粒之間還存在一定的非晶成分。
　　 襯底溫度對薄膜的沉積速率影響較小，在功率250W、濺射氣壓1.5Pa、氧氬比為1/3的濺射工藝下，估算薄膜的沉積速率大約為16nm/mi

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