2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩55頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、本文采用單向脈沖電源在工業(yè)純鋁表面制備了微弧氧化陶瓷膜。微弧氧化陶瓷層與基體結(jié)合力好,結(jié)構(gòu)致密,具有良好的耐磨性和耐蝕性,同時微弧氧化膜制備工藝簡單,對環(huán)境無污染,具有廣闊的應(yīng)用前景和深遠(yuǎn)的現(xiàn)實(shí)意義。 本文利用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、TR110袖珍粗糙度儀、覆層測厚儀、顯微硬度儀及點(diǎn)滴腐蝕試驗(yàn)和電化學(xué)測試等手段,系統(tǒng)地考察了微弧氧化膜制備工藝與膜層形成機(jī)理及性能之間的關(guān)系,重點(diǎn)考察了各工藝參數(shù)情況下膜層性

2、能的形成機(jī)理??疾炝瞬煌娊庖后w系下的微弧氧化現(xiàn)象,研究對比了Na<,2>SiO<,3>電解液體系和NaAlO<,2>電解液體系下生成微弧氧化膜層的性能。兩種體系下生成的氧化膜均由α-Al<,2>O<,3>和γ-Al<,2>O<,3>相組成,Na<,2>SiO<,3>體系下形成的氧化膜中α-Al<,2>O<,3>相的含量更多:陶瓷膜表面有大量的類似火山口的等離子放電產(chǎn)物和明顯的放電通道,Na<,2>SiO<,3>電解液中形成的氧化膜放電

3、通道閉合得較好;恒電位極化可以看出微弧氧化陶瓷膜具有良好的耐蝕性,Na<,2>SiO<,3>體系下生成的氧化膜耐腐蝕性能更好一些。 研究了電流密度、脈沖占空比及頻率對微弧氧化膜性能的影響。隨電流密度的增加,α-Al<,2>O<,3>和γ-Al<,2>O<,3>相的含量隨之增加,陶瓷膜的硬度及粗糙度也隨之增加,厚度和耐蝕性先增大后減??;隨占空比的增大,陶瓷膜的厚度、硬度及粗糙度均隨之增加,占空比小于0.3時,腐蝕時間隨占空比的增大

4、而增加,占空比大于0.3時腐蝕時間略有減小,占空比為0.3時膜層的耐蝕性達(dá)到最佳:頻率對陶瓷膜的粗糙度和硬度影響較??;5000Hz頻率段下膜層的厚度最厚,耐蝕性達(dá)到最佳。 利用正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)對微弧氧化工藝參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,考察電流密度、占空比、頻率及成膜劑濃度對膜層質(zhì)量的影響。對于厚度和硬度這兩個指標(biāo)來說,電流密度的影響最大;對于膜層耐蝕性來說,主成膜劑濃度對其影響較大;頻率和占空比對膜層質(zhì)量的影響相對較小,其中頻率的影響最?。壕C合比

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論