FTO-SiO-,2-復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜的制備及性能研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文以SnCl2·2H2O、NH4F和TEOS為原料,采用溶膠-凝膠法制備FTO/SiO2復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜。通過(guò)對(duì)制備薄膜各參數(shù)工藝包括FTO及SiO2溶膠的配置、基體處理、涂層方式、熱處理等的實(shí)驗(yàn)分析,利用XRD、UV-Vis以及方塊電阻測(cè)試儀等手段,以附著力測(cè)試、光電性能測(cè)試等為內(nèi)容,綜合探討了F摻雜濃度、熱處理溫度以及薄膜厚度等對(duì)薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌及光電性能的影響。實(shí)驗(yàn)得出,SiO2溶膠的配置方案為:EtOH/TEOS/H2O

2、=4:2:1(volume ratio),PH=2-3。SnO2溶膠的配置方案為:SnO2濃度為0.4mol/L,H2O/SnCl2·2H2O=4(molratio),PH=2-3。
　　 FTO/SiO2薄膜的性能優(yōu)于FTO薄膜,在相同情況下FTO/SiO2薄膜的電阻值小于FTO膜,這是因?yàn)镾iO2薄膜可以適當(dāng)阻隔基體中的Na+、ca+離子在薄膜熱處理時(shí)擴(kuò)散進(jìn)入FTO膜內(nèi),防止其禁帶內(nèi)形成受主能級(jí),捕獲自由載流子,劣化薄膜導(dǎo)電

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