CZT探測器電極制備工藝的研究.pdf

1、本文對CZT探測器電極制備工藝進行了研究。主要內容如下： 1、采用I-V特性測試、超聲波掃描(SAM)和電極粘附力測試了不同電極沉積工藝對于Au與p-CTT之間接觸的影響。研究結果表明，濺射沉積的Au電極附著力大，但會對CZT表面造成一定的損傷，濺射Au電極與CZT不能很好地形成歐姆接觸?；瘜W沉積的Au電極可以與CZT形成比較好的歐姆接觸，其與CZT表面附著力大，但是沉積工藝不易控制，電極不是很均勻。真空蒸發(fā)沉積的Au電極可以與

2、CZT形成比較好的歐姆接觸，且工藝容易控制，電極層比較均勻，只是其與CTT之間的附著力比較低。但可以考慮通過增加沉積電極后的退火工藝來改善這一缺點。 2、研究了熱處理條件對于真空蒸發(fā)工藝制備的金屬電極與CZT接觸特性的影響。通過在不同溫度、不同時間和不同氣氛下對CZT接觸電極的熱處理研究，找到了理想的熱處理工藝條件。結果表明，Au與p型CdZnTe在100℃的空氣氣氛中退火中2個小時，歐姆接觸系數(shù)提高到0.92，電極與CZT之間

3、的附著力提高了27％。A1與n型CdZnTe在100℃的空氣氣氛中退火中2個小時也可以提高附著力。但是電極內部均勻性在退火后會有所下降。 3、制備了兩種CZT肖特基探測器(Al/n-CZT/Au和In/n-CZT/Au)和一種光電導型探測器(Al/n-CZT/Al)。采用I-V特性測試的數(shù)據(jù)計算得出：Au在兩個肖特基器件中和n-CZT的接觸勢壘分別為0.904eV和0.956eV。通過能譜測試研究了光電導型和肖特基型兩種CZT探