有機(jī)光電探測(cè)器成膜特性及歐姆電極制作的研究.pdf

1、隨著光電子技術(shù)的發(fā)展，有機(jī)半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光和高效率光電探測(cè)器。本文主要討論Al/Ni/ITO/PTCDA/P-Si/Al光電探測(cè)器的制作及薄膜制備工藝調(diào)節(jié)和性能優(yōu)化。首先對(duì)光電探測(cè)器的工作原理和參數(shù)進(jìn)行了分析并闡述PTCDA的材料特性，其次討論了PTCDA/P-Si勢(shì)壘的各項(xiàng)電學(xué)特性及其在正/反偏壓作用下的能帶結(jié)構(gòu)。隨后，介紹了Al/Ni/ITO/PTCDA/P-Si/Al光電探測(cè)器的制作過(guò)程。由于薄膜的特性影響器件的性能

2、，所以對(duì)于薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和成膜特性的研究就變得十分重要。本文從下面幾個(gè)方面進(jìn)行了討論：1.利用AFM分析了PTCDA在p-Si上的成膜特性，討論了溫度和膜厚對(duì)于薄膜表面形貌的影響，2。根據(jù)Raman光譜測(cè)試結(jié)果得到了溫度對(duì)于PTCDA分子結(jié)構(gòu)的影響：3.ITO為PTCDA光電探測(cè)器的入射光窗口和陽(yáng)極，其光學(xué)和電學(xué)性能對(duì)制備條件非常敏感，我們?cè)敿?xì)討論了磁控濺射工藝條件對(duì)于ITO薄膜特性的影響； 最后我們對(duì)光電探測(cè)器的陽(yáng)極做了改進(jìn)，