大功率半導體器件在脈沖放電環(huán)境下的導通機理及其溫度特性的研究.pdf

1、脈沖功率源技術是各種新概念武器包括電磁發(fā)射的基礎技術。其作用是向其發(fā)射平臺提供大容量、高電壓、大電流和高能量密度的電能。隨著脈沖功率源小型化、模塊化的發(fā)展趨勢，對其重要組成部分——大功率半導體器件有了更高的要求。因為在脈沖浪涌放電環(huán)境下，器件要承受高電壓、大電流和高的電流上升率等工作特點，工作環(huán)境非常惡劣，其工頻環(huán)境下的技術參數(shù)已經(jīng)不能準確反應其在該環(huán)境下的工作情況，浪涌參數(shù)才是需要重點研究的技術指標。本文正是基于此應用背景下研究大功率

2、半導體器件，文章的主要工作有以下幾點： 首先，介紹脈沖功率源系統(tǒng)的基本概念，實驗裝置和技術特點，并由單模塊PFN脈沖成形網(wǎng)絡列出狀態(tài)方程并推廣到一般情況，介紹引出本文所要研究的大功率半導體器件。 其次，以大功率可控硅為代表，理論上分析其導通機理及其動態(tài)特性參數(shù)的相互影響，從半導體物理的角度分析大功率可控硅在浪涌放電環(huán)境下的承受能力。 然后，在脈沖功率源放電實驗中，測試系統(tǒng)脈沖大電流，大功率器件的動態(tài)參數(shù)，并通過實