pisio,2納米雜化薄膜的制備及性能研究

1、國(guó)內(nèi)圖書分類號(hào)：TM215工學(xué)博士學(xué)位論文PI／Si02納米雜化薄膜的制備及性能研究博士研究生：導(dǎo)師：申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：學(xué)科、專業(yè)：所在單位：答辯日期：授予學(xué)位單位：張明艷雷清泉工學(xué)博士高電壓與絕緣技術(shù)電氣與電子工程學(xué)院2006年6月哈爾濱理工大學(xué)哈爾濱理t大學(xué)T學(xué)博士學(xué)位論文i體系雜化薄膜的韌性稍有下降，拉伸強(qiáng)度和斷裂伸長(zhǎng)率變化不大，但當(dāng)二氧化硅增大時(shí)，這些力學(xué)性能參數(shù)開始下降，B體系下降幅度大于A體系。導(dǎo)致力學(xué)性能變化的主要因素是二氧化

2、硅摻雜對(duì)薄膜中聚酰亞胺分子鏈排列有序性的影響程度，棒狀的二氧化硅粒子不利于薄膜力學(xué)性能的改善。對(duì)雜化薄膜進(jìn)行熱分析結(jié)果顯示，A體系中，二氧化硅含量低于125wt％，失重10％時(shí)的分解溫度略高于純聚酰亞胺薄膜，二氧化硅含量超過125wt％時(shí)，熱分解溫度明顯下降；B體系中，各種二氧化硅摻雜量的雜化薄膜，其失重10％的分解溫度均高于純聚酰亞胺薄膜。其中摻雜量為5wt％時(shí)，提高幅度最大，為2l℃。對(duì)于A、B兩體系，當(dāng)二氧化硅含量超過125wt％

3、時(shí)，對(duì)薄膜熱分解溫度影響變得不顯著，棒狀的二氧化硅粒子有利于薄膜熱穩(wěn)定性的提高。二氧化硅的摻雜對(duì)雜化薄膜電性能的影響較為復(fù)雜，針對(duì)不同的電性能參數(shù)，具體權(quán)重影響因素不同。對(duì)于相對(duì)介電系數(shù)和介電損耗，所有二氧化硅含量的雜化薄膜的相對(duì)介電系數(shù)均高于純聚酰亞胺薄膜，且?guī)缀醪浑S頻率變化。A體系雜化薄膜的介電損耗普遍高于純聚酰亞胺薄膜，B體系雜化薄膜的介電損耗與純聚酰亞胺薄膜相差不大，且兩個(gè)體系雜化薄膜的介電損耗值均隨測(cè)試頻率的增加呈單調(diào)上升趨勢(shì)

4、。納米二氧化硅的引入在一定程度上能抑制電擊穿和熱擊穿的發(fā)生，并能顯著提高雜化薄膜的耐電暈?zāi)芰?，隨著二氧化硅含量增加，納米二氧化硅粒子在電暈老化過程中發(fā)生團(tuán)聚以消耗和傳導(dǎo)薄膜中積聚的熱能。A體系雜化薄膜在二氧化硅含量達(dá)到30wt％時(shí)，耐電暈時(shí)間達(dá)到180h，較純聚酰亞胺薄膜提高了47倍，B體系雜化薄膜在二氧化硅含量達(dá)到25wt％時(shí)，耐電暈時(shí)間也達(dá)到180h。適量且易于導(dǎo)熱組分的摻雜和有利于熱傳導(dǎo)的聚集態(tài)結(jié)構(gòu)是薄膜耐電暈?zāi)芰μ岣叩闹饕颉?/p>