pisio,2納米雜化薄膜的制備及性能研究

1、國內圖書分類號：TM215工學博士學位論文PI／Si02納米雜化薄膜的制備及性能研究博士研究生：導師：申請學位級別：學科、專業(yè)：所在單位：答辯日期：授予學位單位：張明艷雷清泉工學博士高電壓與絕緣技術電氣與電子工程學院2006年6月哈爾濱理工大學哈爾濱理t大學T學博士學位論文i體系雜化薄膜的韌性稍有下降，拉伸強度和斷裂伸長率變化不大，但當二氧化硅增大時，這些力學性能參數開始下降，B體系下降幅度大于A體系。導致力學性能變化的主要因素是二氧化

2、硅摻雜對薄膜中聚酰亞胺分子鏈排列有序性的影響程度，棒狀的二氧化硅粒子不利于薄膜力學性能的改善。對雜化薄膜進行熱分析結果顯示，A體系中，二氧化硅含量低于125wt％，失重10％時的分解溫度略高于純聚酰亞胺薄膜，二氧化硅含量超過125wt％時，熱分解溫度明顯下降；B體系中，各種二氧化硅摻雜量的雜化薄膜，其失重10％的分解溫度均高于純聚酰亞胺薄膜。其中摻雜量為5wt％時，提高幅度最大，為2l℃。對于A、B兩體系，當二氧化硅含量超過125wt％

3、時，對薄膜熱分解溫度影響變得不顯著，棒狀的二氧化硅粒子有利于薄膜熱穩(wěn)定性的提高。二氧化硅的摻雜對雜化薄膜電性能的影響較為復雜，針對不同的電性能參數，具體權重影響因素不同。對于相對介電系數和介電損耗，所有二氧化硅含量的雜化薄膜的相對介電系數均高于純聚酰亞胺薄膜，且?guī)缀醪浑S頻率變化。A體系雜化薄膜的介電損耗普遍高于純聚酰亞胺薄膜，B體系雜化薄膜的介電損耗與純聚酰亞胺薄膜相差不大，且兩個體系雜化薄膜的介電損耗值均隨測試頻率的增加呈單調上升趨勢

4、。納米二氧化硅的引入在一定程度上能抑制電擊穿和熱擊穿的發(fā)生，并能顯著提高雜化薄膜的耐電暈能力，隨著二氧化硅含量增加，納米二氧化硅粒子在電暈老化過程中發(fā)生團聚以消耗和傳導薄膜中積聚的熱能。A體系雜化薄膜在二氧化硅含量達到30wt％時，耐電暈時間達到180h，較純聚酰亞胺薄膜提高了47倍，B體系雜化薄膜在二氧化硅含量達到25wt％時，耐電暈時間也達到180h。適量且易于導熱組分的摻雜和有利于熱傳導的聚集態(tài)結構是薄膜耐電暈能力提高的主要原因。