19511.利用cbd法進行氧化鋅摻雜半導體納米陣列的制備及特性研究

1、碩士學位論文論文題目：利用CBD法進行氧化鋅摻雜半導體納米陣列的制備及特性研究作者姓名作者姓名王敏王敏指導教師指導教師隋成華教授隋成華教授呂斌講師呂斌講師學科專業(yè)學科專業(yè)____________物理學物理學____________所在學院所在學院理學院理學院提交日期提交日期2015年4月18日浙江工業(yè)大學碩士學位論文I利用CBD法進行氧化鋅摻雜半導體納米陣列的制備及特性研究摘要氧化鋅的特性在很大程度上取決于微觀尺寸和形貌，除了單一的薄膜

2、結構其他復雜的結構也已經(jīng)被廣泛研究。氧化鋅材料中摻入不同的元素能改變其光學、磁學、電學等特性。摻錫能制得三元半導體Zn2SnO4但是目前為止還沒有關于摻錫氧化鋅納米陣列的報道。在CdTe太陽能電池中，利用磁控濺射法制得的Zn2SnO4可以作為緩沖層來提高太陽能電池窗口層的光學透過率和短路電流。我們希望用水熱法（CBD）合成ZNAs:Sn來代替現(xiàn)有的磁控濺射制備的Zn2SnO4薄膜，作為碲化鎘太陽能電池中的緩沖層。通過適當?shù)睦碚撃M來指導

3、實驗，調(diào)整適合的陣列密度以及納米棒直徑來提高緩沖層的透過率，提高太陽能電池的外量子效率。另外探索Sn的最佳摻雜，同時生成納米陣列使緩沖層的能隙藍移，讓更多的光子進入PN結中。本論文利用水熱法在旋涂法制成的種子層基底上生長氧化鋅納米陣列（ZNAs）和摻錫氧化鋅納米陣列（ZNAs:Sn）。為了研究摻錫對氧化鋅納米陣列透光性的影響，我們用X射線衍射（XRD）、掃描電鏡（SEM）、透射譜和橢圓偏振儀（SE）對樣品進行了表征，并結合等效介質(zhì)模型（