電力電子課程設(shè)計(jì)----單相全控橋式晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)（純電阻負(fù)載）

1、<p>　　課程設(shè)計(jì)名稱：電力電子課程設(shè)計(jì)</p><p>　　題 目：?jiǎn)蜗嗳貥蚴骄чl管整流電路的設(shè)計(jì)（純電阻負(fù)載）</p><p>　　專 業(yè)：自動(dòng)化 </p><p>　　班 級(jí)：09-2班</p><p><b>　　摘要</b></p><p>

2、　　整流電路（Rectifier）是電力電子電路中出現(xiàn)最早的一種，它的作用是將交流電能變?yōu)橹绷麟娔芄┙o直流用電設(shè)備。整流電路的應(yīng)用十分廣泛，例如直流電動(dòng)機(jī)，電鍍、電解電源，同步發(fā)電機(jī)勵(lì)磁，通信系統(tǒng)電源等。整流電路的分類可以從多種角度，按組成的器件可分為不可控、半控、全控三種；按電路結(jié)構(gòu)可分為橋式電路和零式電路；按交流輸入相數(shù)分為單相電路和多相電路；按變壓器二次側(cè)電流的方向是單向或雙向，分為單拍電路和雙拍電路。整流電路的工作原理，要根據(jù)電

3、路中的開(kāi)關(guān)器件通、斷狀態(tài)及交流電源電壓波形和負(fù)載的性質(zhì)，分析其輸出直流電壓、電路中各元器件的電壓和電流波形，而開(kāi)關(guān)器件多采用晶閘管、IGBT等半控或全控型器件。本設(shè)計(jì)使用晶閘管實(shí)現(xiàn)單相橋式全控整流電路，通過(guò)改變晶閘管的觸發(fā)角來(lái)改變輸出波形。</p><p>　　關(guān)鍵詞：整流電路；分類；晶閘管</p><p><b>　　目錄</b></p><p&

4、gt;　　綜述……………………………………………………………………1</p><p>　　1晶閘管…………………………………………………………………2</p><p>　　1.1晶閘管的結(jié)構(gòu)………………………………………………………2</p><p>　　1.2晶閘管的工作原理…………………………………………………2</p><p>　　1.

5、3晶閘管的基本特性……………………………………………………………3</p><p>　　1.3.1晶閘管的靜態(tài)特性…………………………………………………………4</p><p>　　1.3.2晶閘管的動(dòng)態(tài)特性…………………………………………………………4</p><p>　　1.3.3 晶閘管的電壓及電流定額…………………………………………………4</p>

6、;<p>　　1.4 晶閘管觸發(fā)電路……………………………………………………………5</p><p>　　2單相橋式全控整流電路主電路 ……………………………………7</p><p>　　2.1單相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載的工作情況原理分析…………………7</p><p>　　2.2主電路原理分析……………………………………………………8</p

7、><p>　　2.2.1基本原理……………………………………………………………………8</p><p>　　2.2.2基本數(shù)量關(guān)系………………………………………………………………9</p><p>　　3 保護(hù)電路………………………………………………………………………10</p><p>　　3.1過(guò)電壓保護(hù)…………………………………………………

8、………………10</p><p>　　3.2過(guò)電流保護(hù)…………………………………………………………………10</p><p>　　4設(shè)計(jì)總結(jié)………………………………………………………………………12</p><p>　　5心得體會(huì) ………………………………………………………………………13</p><p>　　參考文獻(xiàn)………………………………

9、………………………………14</p><p><b>　　綜述</b></p><p>　　隨著科學(xué)技術(shù)的日益發(fā)展,人們對(duì)電路的要求也越來(lái)越高,由于在生產(chǎn)實(shí)際中需要大小可調(diào)的直流電源,而相控整流電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制方便、性能穩(wěn)定,利用它可以方便地得到大中、小各種容量的直流電能,是目前獲得直流電能的主要方法,得到了廣泛應(yīng)用。但是晶雜管相控整流電路中隨著觸發(fā)角α的增大，電流

10、中諧波分量相應(yīng)增大，因此功率因素很低。把逆變電路中的SPWM控制技術(shù)用于整流電路，就構(gòu)成了PWM整流電路。通過(guò)對(duì)PWM整流電路的適當(dāng)控制，可以使其輸入電流非常接近正弦波，且和輸入電壓同相位，功率因素近似為1。這種整流電路稱為高功率因素整流器，它具有廣泛的應(yīng)用前景</p><p>　　由于電力電子技術(shù)是將電子技術(shù)和控制技術(shù)引入傳統(tǒng)的電力技術(shù)領(lǐng)域，利用半導(dǎo)體電力開(kāi)關(guān)器件組成各種電力變換電路實(shí)現(xiàn)電能和變換和控制，而構(gòu)成

11、的一門完整的學(xué)科。故其學(xué)習(xí)方法與電子技術(shù)和控制技術(shù)有很多相似之處，因此要學(xué)好這門課就必須做好實(shí)驗(yàn)和課程設(shè)計(jì)，因而我們進(jìn)行了此次課程設(shè)計(jì)。又因?yàn)檎麟娐窇?yīng)用非常廣泛，而鋸齒波移相觸發(fā)三相晶閘管全控整流電路又有利于夯實(shí)基礎(chǔ)，故我們單結(jié)晶體管觸發(fā)的單相晶閘管全控整流電路這一課題作為這一課程的課程設(shè)計(jì)的課題。</p><p><b>　　1 晶閘管</b></p><p>　

12、　晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又稱作可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR），以前被簡(jiǎn)稱為可控硅。 1956年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室（Bell Laboratories）發(fā)明了晶閘管，到1957年美國(guó)通用電氣公司（General Electric）開(kāi)發(fā)出了世界上第一只晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。由于其能承受的電壓和電流容量仍然是目前電力電子器件中最高的，而且工作可靠，因此在

13、大容量的應(yīng)用場(chǎng)合仍然具有比較重要的地位。</p><p><b>　　1.1　晶閘管結(jié)構(gòu)</b></p><p>　　晶閘管的結(jié)構(gòu) 從外形上來(lái)看，晶閘管也主要有螺栓型和平板型兩種封裝結(jié)構(gòu) 。引出陽(yáng)極A、陰極K和門極（控制端）G三個(gè)聯(lián)接端。內(nèi)部是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。</p><p>　　圖1-1 晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號(hào)</p

14、><p>　　a) 外形 b) 結(jié)構(gòu) c) 電氣圖形符號(hào)</p><p>　　1.2 晶閘管的工作原理 </p><p>　　按照晶體管工作原理，可列出如下方程：</p><p>　　式中1和2分別是晶體管V1和V2的共基極電流增益；ICBO1和ICBO2分別是V1和V2的共基極漏電流。</p><p>　　圖1-2

15、 晶閘管的雙晶體管模型及其工作原理</p><p>　　雙晶體管模型 b) 工作原理</p><p>　　由以上式（2-1）~（2-4）可得</p><p>　　1.3 晶閘管的特性</p><p>　　晶體管的特性是：在低發(fā)射極電流下 是很小的，而當(dāng)發(fā)射極電流建立起來(lái)之后， 迅速增大。在晶體管阻斷狀態(tài)下，IG=0，而1+2是很小的。由上式

16、可看出，此時(shí)流過(guò)晶閘管的漏電流只是稍大于兩個(gè)晶體管漏電流之和。 如果注入觸發(fā)電流使各個(gè)晶體管的發(fā)射極電流增大以致1+2趨近于1的話，流過(guò)晶閘管的電流IA（陽(yáng)極電流）將趨近于無(wú)窮大，從而實(shí)現(xiàn)器件飽和導(dǎo)通。由于外電路負(fù)載的限制，IA實(shí)際上會(huì)維持有限值。 除門極觸發(fā)外其他幾種可能導(dǎo)通的情況：陽(yáng)極電壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值造成雪崩效應(yīng) 陽(yáng)極電壓上升率du/dt過(guò)高 結(jié)溫較高光觸發(fā)這些情況除了光觸發(fā)由于可以保證控制電路與主電路之間的良好絕緣而應(yīng)用于高

17、壓電力設(shè)備中之外，其它都因不易控制而難以應(yīng)用于實(shí)踐。只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段。 </p><p><b>　　1.3.1靜態(tài)特性</b></p><p>　　正常工作時(shí)的特性 ：當(dāng)晶閘管承受反向電壓時(shí)，不論門極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通 。當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí)，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能開(kāi)通 。晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去控制作用，

18、不論門極觸發(fā)電流是否還存在，晶閘管都保持導(dǎo)通 。若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，只能利用外加電壓和外電路的作用使流過(guò)晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下。 </p><p>　　晶閘管的伏安特性：正向特性：當(dāng)IG=0時(shí)，如果在器件兩端施加正向電壓，則晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)，只有很小的正向漏電流流過(guò)。如果正向電壓超過(guò)臨界極限即正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo，則漏電流急劇增大，器件開(kāi)通。隨著門極電流幅值的增大，正向轉(zhuǎn)折電壓降低，晶閘

19、管本身的壓降很小，在1V左右。 如果門極電流為零，并且陽(yáng)極電流降至接近于零的某一數(shù)值IH以下，則晶閘管又回到正向阻斷狀態(tài)，IH稱為維持電流。反向特性：其伏安特性類似二極管的反向特性。 晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)時(shí)，只有極小的反向漏電流通過(guò)。 當(dāng)反向電壓超過(guò)一定限度，到反向擊穿電壓后，外電路如無(wú)限制措施，則反向漏電流急劇增大，導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞。 </p><p>　　1.3.2 動(dòng)態(tài)特性 </p>

20、<p>　　開(kāi)通過(guò)程：由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過(guò)程需要時(shí)間，再加上外電路電感的限制，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽(yáng)極電流的增長(zhǎng)不可能是瞬時(shí)的。延遲時(shí)間td (0.5~1.5s)，上升時(shí)間tr (0.5~3s)，開(kāi)通時(shí)間tgt=td+tr，延遲時(shí)間隨門極電流的增大而減小,上升時(shí)間除反映晶閘管本身特性外，還受到外電路電感的嚴(yán)重影響。提高陽(yáng)極電壓,延遲時(shí)間和上升時(shí)間都可顯著短。</p><p>　　關(guān)斷過(guò)程 ：由于外

21、電路電感的存在，原處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí)，其陽(yáng)極電流在衰減時(shí)必然也是有過(guò)渡過(guò)程的。反向阻斷恢復(fù)時(shí)間trr正向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr關(guān)斷時(shí)間tq=trr+tgr關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒。 在正向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓，晶閘管會(huì)重新正向?qū)?，而不是受門極電流控制而導(dǎo)通。</p><p>　　1.3.4 電壓及電流定額</p><p>　　電壓定額：斷態(tài)重復(fù)

22、峰值電壓UDRM，是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓。 國(guó)標(biāo)規(guī)定斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓（即斷態(tài)最大瞬時(shí)電壓）UDSM的90%。斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo。</p><p>　　反向重復(fù)峰值電壓URRM 是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓，規(guī)定反向重復(fù)峰值電壓URRM為反向不重復(fù)峰值電壓（即反向最大瞬態(tài)電壓）URSM的90

23、%。反向不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于反向擊穿電壓。通態(tài)（峰值）電壓UT晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電 壓。 通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。選用時(shí)，一般取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管所承受峰值電壓2~3倍。</p><p>　　電流定額：通態(tài)平均電流 IT(AV），國(guó)標(biāo)規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40C和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)所允許流過(guò)的

24、最大工頻正弦半波電流的平均值。按照正向電流造成的器件本身的通態(tài)損耗的發(fā)熱效應(yīng)來(lái)定義的。一般取其通態(tài)平均電流為按發(fā)熱效應(yīng)相等（即有效值相等）原則所得計(jì)算結(jié)果的1.5~2倍。 </p><p>　　1.4晶閘管的觸發(fā)電路</p><p>　　晶閘管觸發(fā)電路的作用：產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖，保證晶閘管在需要的時(shí)刻由阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。晶閘管觸發(fā)電路往往還包括對(duì)其觸發(fā)時(shí)刻進(jìn)行控制的相位控制電路。觸發(fā)

25、電路應(yīng)滿足下列要求：觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管可靠導(dǎo)通，比如對(duì)感性和反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載的變流器應(yīng)采用寬脈沖或脈沖列觸發(fā)。觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度，對(duì)戶外寒冷場(chǎng)合，脈沖電流的幅度應(yīng)增大為器件最大觸發(fā)電流的3~5倍，脈沖前沿的陡度也需增加，一般需達(dá)1~2A/s。觸發(fā)脈沖應(yīng)不超過(guò)晶閘管門極的電壓、電流和功率定額，且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)。應(yīng)有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離。 </p><p>　　圖

26、1-3　理想的晶閘管觸發(fā)脈沖電流波形</p><p>　　t1~t2脈沖前沿上升時(shí)間（<1s）　t1~t3強(qiáng)脈沖寬度　IM強(qiáng)脈沖幅值（3IGT~5IGT）</p><p>　　t1~t4脈沖寬度　I脈沖平頂幅值（1.5IGT~2IGT） </p><p>　　常見(jiàn)的晶閘管觸發(fā)電路 </p><p>　　由V1、V2構(gòu)成的脈沖放大環(huán)節(jié)和脈

27、沖變壓器TM和附屬電路構(gòu)成的脈沖輸出環(huán)節(jié)兩部分組成。</p><p>　　當(dāng)V1、V2導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)脈沖變壓器向晶閘管的門極和陰極之間輸出觸發(fā)脈沖。</p><p>　　VD1和R3是為了V1、V2由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí)脈沖變壓器TM釋放其儲(chǔ)存的能量而設(shè)的。 </p><p>　　為了獲得觸發(fā)脈沖波形中的強(qiáng)脈沖部分，還需適當(dāng)附加其它電路環(huán)節(jié)。 </p><

28、;p>　　圖1-4 常見(jiàn)的晶閘管觸發(fā)電路</p><p>　　2單相橋式全控整流電路主電路</p><p>　　2.1單相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載的工作情況原理分析</p><p>　　晶閘管VT1和VT4組成一對(duì)橋臂，VT2 和VT3組成另一對(duì)橋臂。在u2正半周（即a點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位） 若4個(gè)晶閘管均不導(dǎo)通，id=0,ud=0,VT1、VT4串聯(lián)承

29、受電壓u2。在觸發(fā)角處給VT1和VT4加觸發(fā) 脈沖，VT1和VT4即導(dǎo)通，電流從電源a端經(jīng)VT1、R、VT4流回電源b端。 當(dāng)u2過(guò)零時(shí)，流經(jīng)晶閘管的電流也降到零，VT1和VT4關(guān)斷。 在u2負(fù)半周，仍在觸發(fā)角處觸發(fā)VT2和VT3，VT2和VT3導(dǎo)通，電流從電源b端流出，經(jīng)VT3、R、VT2流回電源a端。 到u2過(guò)零時(shí)，電流又降為零，VT2和VT3關(guān)斷。 </p><p><b>　　圖2-2主電

30、路圖</b></p><p>　　2.2主電路原理圖分析</p><p><b>　　2.2.1基本原理</b></p><p>　　該電路主要由四部分構(gòu)成，分別為電源，過(guò)電保護(hù)電路，整流電路和觸發(fā)電路構(gòu)成。輸入的信號(hào)經(jīng)變壓器變壓后通過(guò)過(guò)電保護(hù)電路，保證電路出現(xiàn)過(guò)載或短路故障時(shí)，不至于傷害到晶閘管和負(fù)載。在電路中還加了防雷擊的保護(hù)電

31、路。然后將經(jīng)變壓和保護(hù)后的信號(hào)輸入整流電路中。整流電路中的晶閘管在觸發(fā)信號(hào)的作用下動(dòng)作，以發(fā)揮整流電路的整流作用。</p><p>　　在電路中,過(guò)電保護(hù)部分我們分別選擇的快速熔斷器做過(guò)流保護(hù),而過(guò)壓保護(hù)則采用RC電路。這部分的選擇主要考慮到電路的簡(jiǎn)單性，所以才這樣的保護(hù)電路部分。整流部分電路則是根據(jù)題目的要求，選擇的我們學(xué)過(guò)的單相橋式整流電路。該電路的結(jié)構(gòu)和工作原理是利用晶閘管的開(kāi)關(guān)特性實(shí)現(xiàn)將交流變?yōu)橹绷鞯墓δ?/p>

32、。觸發(fā)電路是由設(shè)計(jì)題目而定的，題目要求了用單結(jié)晶體管直接觸發(fā)電路。單結(jié)晶體管直接觸發(fā)電路的移相范圍變化較大，而且由于是直接觸發(fā)電路它的結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單。一方面是方便我們對(duì)設(shè)計(jì)電路中變壓器型號(hào)的選擇。</p><p>　　2.2.2基本數(shù)量關(guān)系</p><p>　　晶閘管承受的最大正向電壓和反向電壓分別為 和 。</p><p><b>　　整

33、流電壓平均值為：</b></p><p>　　α=0時(shí)，Ud= Ud0=0.9U2=90V。α=180時(shí)，Ud=0。可見(jiàn)，α角的移相范圍為0°~180°。選取α=60°，Ud=67.5V</p><p>　　向負(fù)載輸出的直流電流平均值為：</p><p>　　若要求功率P=500W，則Id=P/U，Id=7.41A，選擇電阻

34、阻值為9.12Ω。</p><p><b>　　3保護(hù)電路</b></p><p>　　在電力電子電路中，除了電力電子器件參數(shù)選擇合適，驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)良好外，采用合適的過(guò)電壓保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)也是必要的。</p><p><b>　　3.1過(guò)電壓保護(hù)</b></p><p>　　電力電子裝置中可能發(fā)生過(guò)

35、電壓分為外因過(guò)電壓和內(nèi)因過(guò)電壓。外因過(guò)電壓包括操作過(guò)電壓和雷擊過(guò)電壓。內(nèi)因過(guò)電壓包括換相過(guò)電壓和關(guān)斷過(guò)電壓。</p><p>　　圖3-1　過(guò)電壓抑制措施及配置位置</p><p>　　F避雷器　D變壓器靜電屏蔽層　C靜電感應(yīng)過(guò)電壓抑制電容RC1閥側(cè)浪涌過(guò)電壓抑制用RC電路　RC2閥側(cè)浪涌過(guò)電壓抑制用反向阻斷式RC電路</p><p>　　RV壓敏電阻過(guò)電壓抑制器　

36、RC3閥器件換相過(guò)電壓抑制用RC電路RC4直流側(cè)RC抑制電路　RCD閥器件關(guān)斷過(guò)電壓抑制用RCD電路</p><p>　　過(guò)電壓抑制措施及配置位置。各電力電子裝置可視具體情況只采用其中的幾種。RC3和RCD為抑制內(nèi)因過(guò)電壓的措施。抑制外因過(guò)電壓來(lái)采用RC過(guò)電壓抑制電路。對(duì)大容量的電力電子裝置，可采用圖9-12所示的反向阻斷式RC電路。采用雪崩二極管、金屬氧化物壓敏電阻、硒堆和轉(zhuǎn)折二極管（BOD）等非線性元器件來(lái)限

37、制或吸收過(guò)電壓也是較常用的措施。</p><p><b>　　3.2過(guò)電流保護(hù)</b></p><p>　　過(guò)電流分過(guò)載和短路兩種情況。 </p><p>　　圖3-2 過(guò)電流保護(hù)措施及配置位置</p><p>　　過(guò)電流保護(hù)措施及其配置位置?？焖偃蹟嗥?、直流快速斷路器和過(guò)電流繼電器是較為常用的措施，一般電力電子裝置均同

38、時(shí)采用幾種過(guò)電流保護(hù)措施，以提高保護(hù)的可靠性和合理性。通常，電子電路作為第一保護(hù)措施，快熔僅作為短路時(shí)的部分區(qū)段的保護(hù)，直流快速斷路器整定在電子電路動(dòng)作之后實(shí)現(xiàn)保護(hù)，過(guò)電流繼電器整定在過(guò)載時(shí)動(dòng)作?？焖偃蹟嗥鳎ê?jiǎn)稱快熔） 是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種過(guò)電流保護(hù)措施。選擇快熔時(shí)應(yīng)考慮，電壓等級(jí)應(yīng)根據(jù)熔斷后快熔實(shí)際承受的電壓來(lái)確定。電流容量應(yīng)按其在主電路中的接入方式和主電路聯(lián)結(jié)形式確定?？烊鄣?t值應(yīng)小于被保護(hù)器件的允許 t值。為保

39、證熔體在正常過(guò)載情況下不熔化，應(yīng)考慮其時(shí)間電流特性。 快熔對(duì)器件的保護(hù)方式可分為全保護(hù)和短路保護(hù)兩種。全保護(hù)：過(guò)載、短路均由快熔進(jìn)行保護(hù)，適用于小功率裝置或器件裕度較大的場(chǎng)合。短路保護(hù)：快熔只在短路電流較大的區(qū)域起保護(hù)作用。</p><p>　　對(duì)重要的且易發(fā)生短路的晶閘管設(shè)備，或全控型器件，需采用電子電路進(jìn)行過(guò)電流保護(hù)。常在全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置過(guò)電流保護(hù)環(huán)節(jié)，器件對(duì)電流的</p><p

40、><b>　　響應(yīng)是最快的。</b></p><p><b>　　4設(shè)計(jì)總結(jié)</b></p><p>　　通過(guò)單相全控橋式整流電路的設(shè)計(jì)，使我加深了對(duì)整流電路的理解，更深刻地了解了整流電路的設(shè)計(jì)方法以及其在生產(chǎn)生活中的基本應(yīng)用。且根據(jù)負(fù)載的不同，又可以設(shè)計(jì)出很多不同的電路。其中單相全控橋式整流電路其負(fù)載我們用的多的主要是電阻型、帶大電感型，

41、接反電動(dòng)勢(shì)型。它們各自有自己的特點(diǎn)。</p><p>　　本文首先簡(jiǎn)要介紹了整流電路的重要性，整流電路中，開(kāi)關(guān)器件的選擇和觸發(fā)電路的選擇是最關(guān)鍵的，開(kāi)關(guān)器件和觸發(fā)電路選擇的好，對(duì)整流電路的性能指標(biāo)影響很大。其次對(duì)晶閘管做了較為詳細(xì)的介紹與分析，對(duì)于單相橋式全控整流電路的設(shè)計(jì)，晶閘管的驅(qū)動(dòng)電路最為重要，控制晶閘管觸發(fā)的時(shí)間，影響著整個(gè)電路設(shè)計(jì)。本文的主電路部分原理較為簡(jiǎn)單，因此只做了最簡(jiǎn)要的分析。每一個(gè)電力電子電路

42、系統(tǒng)都要加保護(hù)電路，本文對(duì)保護(hù)電路也做了簡(jiǎn)要的介紹?？傮w電路設(shè)計(jì)內(nèi)容，根據(jù)所給的參數(shù)要求進(jìn)行了分析，包括了驅(qū)動(dòng)電路、主電路、保護(hù)電路。</p><p><b>　　5 心得體會(huì)</b></p><p>　　經(jīng)過(guò)兩周的課程設(shè)計(jì)，使我對(duì)晶閘管觸發(fā)電路和單相橋式全控整流電路有了更深一步的了解。在此次課題的設(shè)計(jì)中，讓我看到了團(tuán)隊(duì)合作，共同進(jìn)步的重要性，并且通過(guò)對(duì)資料的查找搜集

43、，歸納總結(jié)和獨(dú)立思考，使自己又有了一次較好的鍛煉機(jī)會(huì)。我逐漸意識(shí)到要想做好一件事情必須要?jiǎng)幽X思考，有計(jì)劃，有目的的進(jìn)行實(shí)踐，才會(huì)是辦事的效率更高，效果更好。做事首先要通過(guò)自己的努力后，如果發(fā)現(xiàn)存在不明白的地方在想別人請(qǐng)教，采納別人的意見(jiàn)，共同達(dá)到目標(biāo)。我還發(fā)現(xiàn)了許多自身的毛病，自己有很多東西都不會(huì)，有很多只是需要去學(xué)習(xí)，以前沒(méi)有學(xué)過(guò)的protues畫圖軟件也通過(guò)本次課程設(shè)計(jì)學(xué)到了許多。本次課題設(shè)計(jì)可能不是最優(yōu)方案，還存在漏洞和不足之處，

44、在以后的學(xué)習(xí)過(guò)程中，還要不斷的積累這方面的知識(shí)，也要加強(qiáng)學(xué)習(xí)電腦方面的知識(shí)。</p><p><b>　　參考文獻(xiàn)</b></p><p>　　[1] 王兆安，劉進(jìn)軍.電力電子技術(shù)[M].第5版.北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2009.</p><p>　　[2] 王兆安，張明勛.電力電子身背設(shè)計(jì)和應(yīng)用手冊(cè)[M].第2版.北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2002