電力電子技術課程設計--mosfet降壓斬波電路設計（純電阻負載）

1、<p>　　電氣工程及其自動化專業(yè)</p><p>　　《電力電子技術》課程設計任務書</p><p>　　2014年12月10日</p><p><b>　　課程設計任務書 </b></p><p>　　題 目: MOSFET降壓斬波電路設計（純電阻負載）

2、 </p><p><b>　　初始條件： </b></p><p>　　1、輸入直流電壓：Ud=100V 2、輸出功率：300W 3、開關頻率5KHz 4、占空比10%~90% </p><p>　　5、輸出電壓脈率：小于10% </p><p>　　要求完成的主要任務: （包括課程設計工作量及其技術要求，以及說明書

3、撰寫等</p><p><b>　　具體要求） </b></p><p>　　1、根據課程設計題目，收集相關資料、設計主電路、控制電路； 2、用MATLAB/Simulink對設計的電路進行仿真； </p><p>　　3、撰寫課程設計報告——畫出主電路、控制電路原理圖，說明主電路的工作原理、選擇元器件參數，說明控制電路的工作原理、繪出主電路典

4、型波形，繪出觸發(fā)信號（驅動信號）波形，并給出仿真波形，說明仿真過程中遇到的問題和解決問題的方法，附參考資料。</p><p><b>　　目錄</b></p><p>　　一.設計要求與方案1</p><p>　　1.1 設計要求1</p><p>　　1.2 設計方案1</p><p>　

5、　二.降壓斬波電路設計方案2</p><p>　　2.1降壓斬波電路原理圖2</p><p>　　2.2降壓斬波電路工作原理圖2</p><p><b>　　三.控制電路3</b></p><p><b>　　3.1工作原理4</b></p><p>　　3.2控制

6、芯片介紹5</p><p>　　四. MOSFET驅動電路設計6</p><p>　　4.1驅動電路方案選擇6</p><p>　　4.2 驅動電路原理7</p><p>　　五.電路各元件的參數設定8</p><p>　　5.1 MOSFET簡介8</p><p>　　5.2功率M

7、OSFET的結構8</p><p>　　5.3功率MOSFET的工作原理9</p><p>　　5.4各元件參數計算9</p><p>　　六. 保護電路10</p><p>　　6.1主電路器件保護10</p><p>　　6.2 負載過壓保護11</p><p>　　七． 仿真電

8、路及其仿真結果11</p><p>　　7.1仿真結果分析15</p><p><b>　　八．總結16</b></p><p><b>　　九．參考文獻18</b></p><p>　　MOSFET降壓斬波電路設計</p><p><b>　　一.設計要求

9、與方案</b></p><p><b>　　1.1 設計要求</b></p><p>　　①利用MOSFET設計一個降壓斬波電路。</p><p>　?、谳斎胫绷麟妷?100V，輸出功率P=300W 。</p><p>　　③開關頻率為5KHz，占空比10%到90%。</p><p>

10、　?、茌敵鲭妷好}率小于10%。</p><p><b>　　1.2 設計方案</b></p><p>　　電力電子器件在實際應用中，一般是由控制電路、驅動電路、保護電路及以電力電子器件為核心的主電路組成一個系統(tǒng)。由信息電子電路組成的控制電路按照系統(tǒng)的工作要求形成控制信號，通過驅動電路去控制主電路中電路電子器件的導通或者關斷，來完成整個系統(tǒng)的功能。</p>

11、<p>　　根據MOSFET降壓斬波電路設計任務要求設計主電路、驅動電路。其結構框圖如圖1所示。</p><p><b>　　圖1 電路結構圖</b></p><p>　　在圖1結構框圖中，控制電路用來產生MOSFET降壓斬波電路的控制信號，控制電路產生的控制信號傳到驅動電路，驅動電路把控制信號轉換為加在MOSFET控制端與公共端之間，可以使其開通或關斷的

12、信號。通過控制MOSFET的開通和關斷來控制MOSFET降壓斬波電路工作?？刂齐娐分斜Ｗo電路是用來保護電路，防止電路產生過電流、過電壓現象而損壞電路設備。</p><p>　　二.降壓斬波電路設計方案</p><p>　　2.1降壓斬波電路原理圖</p><p>　　降壓斬波電路的原理圖以及工作波形如圖2所示。該電路使用一個全控型器件 V，也可使用其他器件，若采用晶

13、閘管，需設置使晶閘管關斷的輔助電路。圖中為MOSFET。為在MOSFET關斷時給負載中電感電流提供通道，設置了續(xù)流二極管VD。斬波電路主要用于電子電路的供電電源，也可拖動直流電動機或帶蓄電池負載等，后兩種情況下負載中均會出現反電動勢，如圖中U0(t)所示。若負載中無反電動勢時，只需令U0(t)=0，以下的分析及表達式均可適用。</p><p>　　圖2 降壓斬波電路原理圖</p><p>

14、　　2.2降壓斬波電路工作原理圖</p><p>　　直流降壓斬波電路使用一個全控型的電壓驅動器件MOSFET，在t=0時刻驅動V導通，電源向負載供電，負載電壓U0=E，負載電流i0按指數曲線上升。當t=t1時，控制MOSFET 關斷負載電流經二極管VD 續(xù)流，負載電壓U0 近似為零，負載電流呈指數曲線下降。為了使負載電流連續(xù)且脈動小，通常使串聯的電感L值較大。電路工作時的波形圖如圖3所示。</p>

15、<p>　　圖3 降壓斬波電路的工作波形</p><p>　　至一個周期T結束，再驅動MOSFET導通，重復上一周期的過程。當電路工作處于穩(wěn)態(tài)時，負載電流在一個周期的初值和終值相等，如圖3所示。</p><p><b>　　負載電壓平均值為</b></p><p><b>　　（2.1）</b></p&g

16、t;<p><b>　　負載電流平均值為</b></p><p>　　式中，ton為MOSFET處于通態(tài)的時間；toff為MOSFET處于斷態(tài)的時間；T為開關周期；為導通占空比。</p><p>　　由式（1.1）可知，輸出到負載的電壓平均值U0最大為U，減小占空比，U0隨之減小。因此將該電路稱為降壓斬波電路。也稱buck變換器。</p>

17、<p>　　根據對輸出電壓平均值進行調試的方式不同，可分為三種工作方式：</p><p>　　1) 保持開關導通時間 不變，改變開關T，稱為頻率調制工作方式；</p><p>　　2) 保持開關周期T不變，調節(jié)開關導通時間 ，稱為脈沖寬調制工作方式；</p><p>　　3) 開關導通時間和開關周期T 都可調，稱為混合型。</p><p

18、><b>　　三.控制電路</b></p><p>　　控制電路需要實現的功能是產生控制信號，用于控制斬波電路中主功率器件的通斷，通過對占空比的調節(jié)達到控制輸出電壓大小的目的。</p><p>　　斬波電路有三種控制方式：</p><p>　　1.保持開關周期T不變，調節(jié)開關導通時間ton，稱為脈沖寬度調制或脈沖調寬型；</p>

19、;<p>　　2.保持導通時間不變，改變開關周期T，成為頻率調制或調頻型；</p><p>　　3.導通時間和周期T都可調，是占空比改變，稱為混合型。</p><p>　　因為斬波電路有這三種控制方式，又因為PWM控制技術應用最為廣泛，所以采用PWM控制方式來控制MOSFET的通斷。PWM控制就是對脈沖寬度進行調制的技術。這種電路把直流電壓“斬”成一系列脈沖，改變脈沖的占空比

20、來獲得所需的輸出電壓。改變脈沖的占空比就是對脈沖寬度進行調制，只是因為輸入電壓和所需要的輸出電壓都是直流電壓，因此脈沖既是等幅的，也是等寬的，僅僅是對脈沖的占空比進行控制。</p><p>　　圖四. SG3525引腳圖</p><p>　　對于控制電路的設計其實可以有很多種方法，可以通過一些數字運算芯片如單片機、CPLD等等來輸出PWM波，也可以通過特定的PWM發(fā)生芯片來控制。因為課程設

21、計要求，所以我選用一般的PWM發(fā)生芯片來進行連續(xù)控制。</p><p>　　對于PWM發(fā)生芯片，我選用了SG3525芯片，其引腳圖如圖四所示，它是一款專用的PWM控制集成電路芯片，它采用恒頻調寬控制方案，內部包括精密基準源、鋸齒波振蕩器、誤差放大器、比較器、分頻器和保護電路等。</p><p>　　其11和14腳輸出兩個等幅、等頻、相位互補、占空比可調的PWM信號。腳6、腳7 內有一個雙門

22、限比較器，內設電容充放電電路，加上外接的電阻電容電路共同構成SG3525 的振蕩器。振蕩器還設有外同步輸入端(腳3)。腳1 及腳2 分別為芯片內部誤差放大器的反相輸入端、同相輸入端。該放大器是一個兩級差分放大器。根據系統(tǒng)的動態(tài)、靜態(tài)特性要求，在誤差放大器的輸出腳9和腳1之間一般要添加適當的反饋補償網絡，另外當10腳的電壓為高電平時，11和14腳的電壓變?yōu)?0輸出。</p><p><b>　　3.1工作

23、原理</b></p><p>　　由于SG3525的振蕩頻率可表示為 ：</p><p><b>　　4.1</b></p><p>　　式中:, 分別是與腳5、腳6相連的振蕩器的電容和電阻；是與腳7相連的放電端電阻值。根據任務要求需要頻率為5kHz，所以由上式可取=0.01μF, = ,=。可得f=5kHz，滿足要求。</p

24、><p><b>　　圖5. 控制電路</b></p><p>　　SG3525有過流保護的功能，可以通過改變10腳電壓的高低來控制脈沖波的輸出。因此可以將驅動電路輸出的過流保護電流信號經一電阻作用，轉換成電壓信號來進行過流保護，同理也可以用10端進行過壓保護，如圖5所示10端外接過壓過流保護電路。當驅動電路檢測到過流時發(fā)出電流信號，由于電阻的作用將10腳的電位抬高，從而

25、11、14腳輸出低電平，而當其沒有過流時，10腳一直處于低電平，從而正常的輸出PWM波。</p><p>　　SG3525還有穩(wěn)壓作用。1端接芯片內置電源，2端接負載輸出電壓，通過1端的變位器得到它的一個基準電位，從而當負載電位發(fā)生變化時能夠通過1、2所接的誤差放大器來控制輸出脈寬的占空比，若負載電位升高則輸出脈寬占空比減小，使得輸出電壓減小從而穩(wěn)定了輸出電壓，反之則然。調節(jié)變位器使得1端得到不同的基準電位，控制

26、輸出脈寬的占空比，從而可使得輸出電壓為20V-90V范圍。</p><p><b>　　3.2控制芯片介紹</b></p><p>　　本控制電路是以SG3525 為核心構成,SG3525 為美國Silicon General 公司生產的專用，它集成了PWM 控制電路,其內部電路結構及各引腳功能如圖3.3所示,它采用恒頻脈寬調制控制方案,內部包含有精密基準源,鋸齒波振

27、蕩器,誤差放大器,比較器,分頻器和保護電路等.調節(jié)Ur 的大小,在11,14兩端可輸出兩個幅度相等,頻率相等,相位相差, 占空比可調的矩形波(即PWM信號).然后，將脈沖信號送往芯片HL402，對微信號進行升壓處理，再把經過處理的電平信號送往MOSGRT，對其觸發(fā)，以滿足主電路的要求。</p><p>　　圖3.3SG3525A 芯片的內部結構</p><p>　　四. MOSFET驅動電

28、路設計</p><p>　　4.1驅動電路方案選擇</p><p>　　該驅動部分是連接控制部分和主電路的橋梁，該部分主要完成以下幾個功能：(1)提供適當的正向和反向輸出電壓，使電力MOSFE 管可靠的開通和關斷；(2)提供足夠大的瞬態(tài)功率或瞬時電流，使MOSFET能迅速建立柵控電場而導通；(3)盡可能小的輸入輸出延遲時間，以提高工作效率；(4) 足夠高的輸入輸出電氣隔離性能，使信號電路與

29、柵極驅動電路絕緣；(5)具有靈敏的過流保護能力。</p><p>　　而電力MOSFET 是用柵極電壓來控制漏極電流的，因此它的第一個顯著特點是驅動電路簡單，需要的驅動功率??；第二個顯著特點是開關速度快、工作頻率高。但是電力MOSFET電流容量小，耐壓低，多用于功率不超過10Kw 的電力電子裝置。</p><p>　　在功率變換裝置中,根據主電路的結構，起功率開關器件一般采用直接驅動和隔離

30、驅動兩種方式.美國IR公司生產的IR2110驅動器，兼有光耦隔離和電磁隔離的優(yōu)點，是中小功率變換裝置中驅動器件的首選。</p><p>　　根據設計要求、驅動要求及電力MOSFET 管開關特性,選擇驅動芯片IR2110 來實現驅動。</p><p>　　芯片IR2110 管腳及內部電路圖如下圖4 所示。</p><p>　　圖4 IR2110 管腳及內部電路圖<

31、;/p><p>　　4.2 驅動電路原理</p><p>　　IR2110 內部功能由三部分組成：邏輯輸入、電平平移及輸出保護。</p><p>　　IR2110 驅動半橋的電路如圖所示，其中C1，VD1分別為自舉電容和自舉二極管，C2 為VCC的濾波電容。假定在S 關斷期間C1已經充到足夠的電壓（VC1 VCC）。</p><p>　　當HIN

32、 為高電平時如下圖4-2 ，VM1開通，VM2關斷，VC1加到S1的柵極和源極之間，C1 通過VM1，Rg1和柵極和源極形成回路放電，這時C1就相當于一個電壓源，從而使S1導通。由于LIN與HIN是一對互補輸入信號，所以此時LIN為低電平，VM3關斷，VM4導通，這時聚集在S2柵極和源極的電荷在芯片內部通過Rg2迅速對地放電，由于死區(qū)時間影響使S2 在S1 開通之前迅速關斷。</p><p>　　圖5 IR211

33、0 驅動半橋電路</p><p>　　設計驅動電路如圖6所示.</p><p><b>　　圖6 驅動電路圖</b></p><p>　　五.電路各元件的參數設定</p><p>　　5.1 MOSFET簡介</p><p>　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semicon

34、ductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。 </p><p>　　功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管

35、一般稱作靜電感應晶體管（Static Induction Transistor--SIT）。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅動電路簡單，需要的驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 </p><p>　　功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導

36、電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。 </p><p>　　5.2功率MOSFET的結構 </p><p>　　功率MOSFET的內部結構和電氣符號如圖1所示；其導通時只有一種極性的載流子（多子）參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSF

37、ET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET, （Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。 </p><p>　　MOSFET的結構與電氣圖形符號如圖7所示。</p><p>　　圖7 MOSFET的結構與電氣圖形符號</p><p>　　按垂直導電結構的差異，又分為利用V型槽實現垂直導電的VVMOSFET和具有垂直導電雙擴

38、散MOS結構的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS器件為例進行討論。電力MOSFET也是多元集成結構，一個器件由許多個小MOSFET元組成。每個元的形狀和排列方法，不同生產廠家采用了不同的設計，甚至因此對其產品去了不同的名稱。具體的單元形狀有六邊形、正方形等，也有矩形單元按“品”字型排列的</p><p>　　5.3功率MOSFET的工作原理&l

39、t;/p><p>　　截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。</p><p>　　導電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子-電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面</p><p>　　當UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時，

40、柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電。</p><p>　　5.4各元件參數計算</p><p>　　根據設計要求可選大小為的直流電壓源，如果選取降壓斬波電路的占空比為，則輸出電壓，輸出功率，要求輸出功率為，可計算出負載電阻。電壓控制電壓源和脈沖電壓源可組成MOSFET功率開關的驅動電路。</

41、p><p>　　計算：由式，周期可由開關頻率得出為，把、、代入上式得出。雖說電感L的值越大，得到的圖形越穩(wěn)定，但在此電路中，需要看到文波，因此按計算值設置參數就可以啦。</p><p>　　計算：由式，要求脈動率，取，計算，代入上式計算出。雖說電容C的值越大，得到的圖形越穩(wěn)定，但在此電路中，需要看到文波，因此按計算值設置參數就可以啦。</p><p>　　若取其他占空比

42、時各參數值的計算方法與此一致，不同占空比時各個參數的值如表1所示。 </p><p>　　表1 不同占空比時各個參數的值</p><p><b>　　六. 保護電路</b></p><p>　　過壓保護要根據電路中過壓產生的不同部位，加入不同的保護電路，當達到—定電壓值時，自動開通保護電路，所以可分為主電路器件保護和負載保護。</p>

43、;<p>　　6.1主電路器件保護</p><p>　　當達到—定電壓值時，自動開通保護電路，使過壓通過保護電路形成通路，消耗過壓儲存的電磁能量，從而使過壓的能量不會加到主開關器件上，保護了電力電子器件。</p><p>　　為了達到保護效果，可以使用阻容保護電路來實現。將電容并聯在回路中，當電路中出現電壓尖峰電壓時，電容兩端電壓不能突變的特性，可以有效地抑制電路中的過壓。與

44、電容串聯的電阻能消耗掉部分過壓能量，同時抑制電路中的電感與電容產生振蕩，過電壓保護電路如圖6.1.1所示。</p><p>　　圖6.1.1 RC阻容過電壓保護電路圖</p><p>　　6.2 負載過壓保護</p><p>　　如圖6.1.1所示 比較器同相端接到負載端，反相端接到一個基準電壓上，輸出端接控制芯片10端，當負載端電壓達到一定的值，比較器輸出Uo

45、m抬高10端電位，從而使10端上的信號為高電平時，PWM瑣存器將立即動作，禁止SG3525的輸出，同時，軟啟動電容將開始放電。如果該高電平持續(xù)，軟啟動電容將充分放電，直到關斷信號結束，才重新進入軟啟動過程，從而實現過壓保護。</p><p>　　七． 仿真電路及其仿真結果</p><p>　　在MAT LAB里的Model畫出仿真的圖形。</p><p>　　仿真電

46、路圖如圖8所示。</p><p><b>　　圖8 仿真電路圖</b></p><p>　　各個參數的設置方法：用鼠標左鍵雙擊圖標，會出現一個對話框，然后再相應的位置修改參數，就可完成參數的設置。在不同的占空比時，其他參數也不一樣，修改的方式都有一樣。完成參數的設置，就可以開始仿真。仿真時可能會出現問題，這就得在仿真的過程中去解決，解決好問題后，最終得到的仿真波形如下

47、。在波形圖中，從上到下的波形依次是輸入電壓、占空比、輸出電流、輸出電壓。</p><p>　　Simulink仿真結果如圖9所示。</p><p>　　圖9 =0.2時的仿真波形圖</p><p>　　由仿真結果圖9得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時，在純電阻負載情況下，占空比選擇20%時，得到的輸出電壓的平均值近似20V，輸出電流的平均值近似15A。得到的輸

48、出功率的平均值近似為300W，這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出，輸出的電壓電流波形的形狀是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。</p><p>　　Simulink仿真結果如圖10所示。</p><p>　　圖10 =0.4時的仿真波形圖</p><p>　　由仿真結果圖10得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時，在純電阻負載情況

49、下，占空比選擇40%時，得到的輸出電壓的平均值近似40V，輸出電流的平均值近似7.5A。得到的輸出功率的平均值近似為300W，這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出，輸出的電壓電流波形的形狀是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。</p><p>　　Simulink仿真結果如圖11所示。</p><p>　　圖11 =0.5時的仿真波形圖</p>

50、<p>　　由仿真結果圖11得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時，在純電阻負載情況下，占空比選擇50%時，得到的輸出電壓的平均值近似50V，輸出電流的平均值近似6A。得到的輸出功率的平均值近似為300W，這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出，輸出的電壓電流波形的形狀是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。</p><p>　　Simulink仿真結果如圖12所示。<

51、/p><p>　　圖12 =0.8時的仿真波形圖</p><p>　　由仿真結果圖12得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時，在純電阻負載情況下，占空比選擇80%時，得到的輸出電壓的平均值近似80V，輸出電流的平均值近似3.75A。得到的輸出功率的平均值近似為300W，這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出，輸出的電壓電流波形的形狀是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論

52、要求。</p><p>　　Simulink仿真結果如圖13所示。</p><p>　　圖13 =0.9時的仿真波形圖</p><p>　　由仿真結果圖13得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時，在純電阻負載情況下，占空比選擇90%時，得到的輸出電壓的平均值近似90V，輸出電流的平均值近似3.34A。得到的輸出功率的平均值近似為300W，這滿足電路所需的要求。且從

53、波形圖中可以看出，輸出的電壓電流波形的形狀是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。</p><p><b>　　7.1仿真結果分析</b></p><p>　　由仿真得到的波形可以看出在輸入電壓為100V時，在純電阻負載情況下，不同占空比時，得到的輸出電壓的平均值，輸出電流的平均值都不一樣。但是得到的輸出功率的平均值近似為300W，這點滿足電路設

54、計所需的要求。且從波形圖中可以看出，無論占空比有怎么變化，輸出電壓、輸出電流的波形的形狀始終是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。</p><p>　　由仿真圖可以看得到，當占空比=0.2輸出電壓為20V；當占空比=0.4輸出電壓為40V； 當占空比=0.5輸出電壓為50V； 當占空比=0.8輸出電壓為80V；當占空比=0.9輸出電壓為90V。這與理論計算的結果是一致的，說明這此仿真結果是

55、正確的，符合要求。</p><p><b>　　八．總結</b></p><p>　　通過這次的電力電子技術課程設計，我學到了很多在平常沒有學到的知識。沒有開始設計之前，我很自負，總是覺得無法成功的完成此次任務。但是通過我的同學的幫助和一些同專業(yè)校友的指導，我的課程設計就勉強的在今天完成了。有種說不出來的成就感，原來我也差不到哪里去，至少在老師布置的任務當中我也能夠出

56、色的完成，這對于缺乏知識的我來說是十分珍貴的一次實踐經驗。</p><p>　　第一次看到課程設計的題目時，我就覺得不會是那么簡單就能完成的。然后在真正開始動手做的時候，我發(fā)現了很多棘手的東西，導致我無法下手解決。我也有放棄的時候，總覺得干脆在網上找一篇蒙混過關算了，但是我的搭檔這是給了我充分的幫助和信心。在他的幫助下，我學到了很多我之前不會的東西，最重要的是，我居然能夠完成這項課程設計，再一次的感謝他。在課程設

57、計的時候，遇到最難的問題就是在自己的知識里，學到的大部分都是理論知識，第一次就開始用實踐的方法來完成課程設計對我來說難度真的很大，不過還好之前也做過類似的報告。但是畢竟與這次的課程設計還是有很大的不同。因為課本上涉及這部分的原理知識比較少，光靠書本上的知識根本解決不了，聽同學說圖書館有很多的有關于此次課程設計的書籍，這對于我來說是一筆巨大的財富。</p><p>　　我欣喜若狂的來到圖書館借閱有關書籍，但是那還不

58、夠。網路就在這個時候充分的發(fā)揮出了它的優(yōu)勢，有很多網友推薦了很多關于課程設計的書籍，看都看不過來。只能找?guī)妆就扑]最高的書籍來當做參考。這次課程設計的知識來源很廣，對我們來說真的很寶貴，在此過程中也學到了很多課本上沒有的知識，豐富了自己的理論知識，還擴寬了解決問題的方法，不得不感謝圖書館的存在和網絡的幫助。在做這次課程設計的過程中學到了很多東西，也知道了自己的不足之處，知道自己對以前所學過的知識理解得不夠深刻，掌握得不夠牢固，以后還要努力

59、。當然也通過這次的課程設計，我對以后的課程設計充滿了期待，這對于我來說就是一種挑戰(zhàn)，它成功的引起了我的好勝心，我想通過更過的課程設計學習到很多的實踐知識。這將是一筆永遠也用不完的財富，我必須要牢牢的抓住它。</p><p>　　電力電子技術課程設計終于在今天完成，寫到這里我頓時不經感慨，想想剛開始的那種愁眉苦臉以及做好了遇到任何困難的準備，感謝我的搭檔，老師，還有那些指點我的朋友們，我成功的完成了這次的課程設計。

60、其中有一半的成就是屬于你們的。經過這次的電力電子技術課程設計，我對降壓斬波電路的理解不像剛開始那樣處在什么都不懂的階段上，也學習一些新的知識，增加了解決問題的能力。也對這門課有了更深的了解，知道這門課程在自動化專業(yè)的重要性，我以后一定還會花更多的時間學習這門電力電子技術的。我相信，只有通過我們的堅持和努力，就一定會在探索新知識的道路上學習到更多也會認識到更多。</p><p><b>　　九．參考文獻&

61、lt;/b></p><p>　　[1] 周克寧.電力電子技術[M]. 北京：機械工業(yè)出版社，2004</p><p>　　[2] 王兆安,劉進軍.電力電子技術[M]. 北京：機械工業(yè)出版社，2009</p><p>　　[3] 李宏.電力電子設備用器件與集成電路應用指南[M]. 北京：機械工業(yè)出版社，2001</p><p>　　[4

62、] 王維平.現代電力電子技術及應用[M]. 南京：東南大學出版社，1999</p><p>　　[5] 葉斌.電力電子應用技術及裝置[M]. 北京：鐵道出版社，1999</p><p>　　[6] 周志敏,周紀海等.現代開關電源控制電路設計及應用[M]. 北京：人民郵電出版社,2005</p><p>　　[7] 王正林,王勝開等. MATLAB/Simulink與