玉米Ga1-S基因的遺傳定位及其雜交不親和機理的研究.pdf

1、配子體基因是影響單倍體配子有性傳遞的遺傳因子。Ga1-S來自爆裂玉米，是目前發(fā)現(xiàn)的單向雜交不親和性最徹底的玉米配子體基因之一，是研究玉米傳粉授精過程中基因互作和信號傳導及不親和機理的珍貴突變體。用含有Ga1-S的爆裂玉米給馬齒或硬粒玉米授粉可正常結實，反交則不結實。利用Ga1-S基因可防止轉基因玉米基因擴散，實現(xiàn)制種和生產(chǎn)的有效隔離。本研究以Ga1-S基因近等基因系（w22和w119/Ga1-S）為材料，研究不育的機理，并利用SSR、C

2、APS等分子標記技術，尋找與Ga1-S基因緊密連鎖的多態(tài)性分子標記，通過(w22×w119/Ga1-S)F1BC1代分離群體計算其與Ga1-S的遺傳交換距離，構建Ga1-S的精確遺傳圖,獲得主要結果如下:
　　 1）異源花粉在花粉管中的伸長受阻是Ga1-S玉米異交不親和的主要原因，普通玉米花粉在W119/Ga1-S（GG）花柱上可以萌發(fā)，但花粉管伸長在花柱中受到抑制，使花粉管生長緩慢最終停止生長。
　　 2）在授粉2小時

3、后花粉管在花柱內(nèi)的生長速率出現(xiàn)差異，授粉2小時后，普通玉米花粉在W119/Ga1-S（GG）花柱中的花粉管生長緩慢，Ga基因有所表達，而W119/Ga1-S（GG）花粉在W119/Ga1-S（GG）花柱中的花粉管生長伸長迅速增加。
　　 3）確定了花粉管在花柱內(nèi)伸長停止的時間與相對位置，在授粉23小時的時候花粉管伸長已經(jīng)停止，可育組合的花粉管已經(jīng)到達花柱根部，不育組合未到達，停止伸長在花柱約17％的位置。
　　 4）我們