電磁脈沖

1、<p>　　通常所說的高功率電磁脈沖（HEMP）除了核爆炸電磁脈沖（NEMP）以外，還有雷電及其產(chǎn)生的電磁輻射，即雷電電磁脈沖（LEMP），以及高功率超寬帶電磁武器輻射的高功率微波（HPM）和超寬帶（UWB）等。當HPM和UWB突然以輻射方式注入到集成電路后，會導致電路的電擊穿或熱擊穿，甚至完全破壞設備。由于絕大多數(shù)集成電路都是由高密度金屬氧化物（MOS）器件制造的，所有的有源器件，比如雙極晶體管（Bipolar transi

2、stor，BJT）和場效應管（Field-effect transistor，F(xiàn)ET）都會強烈的吸收輻射電磁能量，導致材料和電路過熱，使集成電路內(nèi)部很容易發(fā)生電熱擊穿。這種嚴重的破壞可分為三層：1）有源二極管，雙極晶體管，場效應管擊穿、燒毀；2）金屬互連線斷路，比如焊接線斷路；3）外層芯片的封裝破壞。因此，為了采取有效的防護措施保護集成電路免受HEMP的攻擊，分析預測這種HEMP對微波電路的電熱擊穿效應應將有非常大的實用價值。</

3、p><p>　　強電磁脈沖干擾使通信對抗設備的生存能力面臨極大的挑戰(zhàn)</p><p>　　強電磁脈沖能夠通過前門和后門等各種途徑耦合進入通信對抗設備的內(nèi)部，嚴重影響設備的工作，甚至會對其電路中的關鍵部件產(chǎn)生永久性的功能毀傷。強電磁脈沖影響通信對抗設備的主要表現(xiàn)形式有：</p><p>　　導致傳感器、接收機等敏感設備性能降低或失效；</p><p&g