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文檔簡介
1、本文通過研發(fā)設(shè)計(jì)脈沖低溫等離子體電源研發(fā)和反應(yīng)器設(shè)計(jì),進(jìn)行低溫等離子體處理含汞廢氣的實(shí)驗(yàn)研究,重點(diǎn)研究了電源參數(shù)(放電頻率、放電電壓)、煙氣在反應(yīng)器中的停留時(shí)間對(duì)單質(zhì)汞氧化率的影響,同時(shí)研究了模擬煙氣中 O2含量、HC l添加量對(duì)脫汞效果的影響,并以此分析脈沖低溫等離子體脫汞技術(shù)的作用機(jī)理,并應(yīng)用于廢棄熒光燈管回收資源化處置工程應(yīng)用中。
實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果表明:1)放電電壓高于8KV時(shí),等離子體對(duì)單質(zhì)汞有明顯氧化效果,且電壓越高,處
2、理效果越好,但高電壓下容易被擊穿;而隨著放電頻率的增加,單質(zhì)汞濃度迅速下降;峰值電壓9KV、放電頻率400Hz時(shí)氧化效果最經(jīng)濟(jì)。2)隨著單質(zhì)汞初始濃度增加,處理效率先增后減,Hg0初始濃度為253.4μg/m3時(shí),Hg0氧化效率最高。3)停留時(shí)間越長,反應(yīng)越充分,停留時(shí)間高于7s時(shí),氧化率達(dá)到91.65%。4)O2、HCl單組分對(duì)單質(zhì)汞氧化有促進(jìn)作用。O2的效果相比于HCl明顯。0%O2/0% Cl2氛圍的氧化率為0,20%O2/0pp
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