存儲器擴(kuò)展實驗

1、存儲器擴(kuò)展實驗存儲器擴(kuò)展實驗1實驗?zāi)康膶嶒災(zāi)康?.了解存儲器的擴(kuò)展方法及其對存儲器的讀寫。2.掌握CPU對816位存儲器的訪問方法。2實驗設(shè)備實驗設(shè)備PC機(jī)一臺，TDPITC實驗箱。3實驗內(nèi)容實驗內(nèi)容編寫程序，往擴(kuò)展存儲器中傳送有規(guī)律的數(shù)據(jù)（如5555H、AAAAH或順序遞增的數(shù)據(jù)等，以便于觀察寫入是否正確），然后通過Tdpit軟件中的“擴(kuò)展存儲區(qū)數(shù)據(jù)顯示窗口”查看該存儲空間，檢測寫入數(shù)據(jù)是否正確。1）循環(huán)傳送16位規(guī)則字規(guī)則字到擴(kuò)展存

2、儲器（共32768個字）；2）循環(huán)傳送16位非規(guī)則字非規(guī)則字到擴(kuò)展存儲器（共32768個字）；3）循環(huán)傳送字節(jié)數(shù)據(jù)到擴(kuò)展存儲器（共32768個字節(jié)）。關(guān)于規(guī)則字和非規(guī)則字的含義見以下16位存儲器操作的說明。4實驗原理實驗原理1）SRAMSRAM6225662256介紹介紹SRAM（靜態(tài)RAM）的基本存儲元是由MOS管組成的觸發(fā)器電路構(gòu)成，每個觸發(fā)器可以存放1位信息。只要不掉電，所儲存的信息就不會丟失。目前較常用的SRAM有6116（2K

3、8），6264（8K8）和62256（32K8）。TDPITC實驗箱內(nèi)使用了2片62256構(gòu)成32K16的擴(kuò)展存儲器模塊。62256的引腳如圖1所示。圖162256引腳圖2）1616位總線的存儲器接口位總線的存儲器接口TDPITC實驗箱中的16位系統(tǒng)總線提供了XA1～XA20、#BHE、#BLE、MY0等信號用于擴(kuò)展存儲器的讀寫操作。MY0是系統(tǒng)為擴(kuò)展存儲器提供的片選信號，其地址空間為D8000H～DFFFFH，XA1～XA20提供了1

4、6位（2字節(jié)）存儲單元的地址，#BHE和#BLE用來確定訪問16位存儲單元中的低8位還是高8位，#BLE有效時允許訪問低8位（D7D0），#BHE有效時允許訪問高8位（D15D8）。其對應(yīng)關(guān)系如表1所示。器。進(jìn)行8位存儲器訪問時，只使用16位數(shù)據(jù)總線的低8位來傳送數(shù)據(jù)，而高8位空閑。要實現(xiàn)此操作，只需使#BLE有效、#BHE無效即可。對應(yīng)于圖2中，就是只對0體存儲器（圖中的62256(1)）進(jìn)行操作，而不對62256(2)所對應(yīng)的1體存

5、儲器進(jìn)行操作（所以進(jìn)行8位存儲器操作時62256(2)的數(shù)據(jù)線可以不用連接）。5實驗步驟實驗步驟1）按圖3連接實驗電路。圖3816位存儲器擴(kuò)展實驗參考接線圖2）運(yùn)行Tdpit，根據(jù)實驗內(nèi)容編寫程序，然后編譯、鏈接。3）使用運(yùn)行命令運(yùn)行程序，待程序運(yùn)行停止后，通過軟件中的“擴(kuò)展存儲區(qū)數(shù)據(jù)顯示窗口”查看該存儲空間，檢測寫入數(shù)據(jù)是否正確。4）修改實驗程序，按非規(guī)則字寫存儲器，觀察實驗結(jié)果。5）修改實驗程序，按字節(jié)方式寫存儲器，觀察實驗結(jié)果。6

6、實驗報告要求實驗報告要求1）給出實驗程序。2）實驗電路圖中，系統(tǒng)總線的地址線XA1XA15連接到SRAM的A0A14。為什么系統(tǒng)總線中未提供XA0？請予以說明。2）對實驗結(jié)果進(jìn)行分析。3）實驗小結(jié)。注：實驗箱的注：實驗箱的IOIO端口和存儲器地址范圍端口和存儲器地址范圍1）查看地址范圍使用TDpit集成操作軟件的“查看”菜單項中的“端口資源”命令來查看實驗箱中4個IO片選信號（IOY0～I(xiàn)OY3）和1個存儲器片選信號（MY0）所對應(yīng)的端