5存儲(chǔ)器擴(kuò)展詳解

1、第5章 存儲(chǔ)器擴(kuò)展,,,,外部存儲(chǔ)接口,外部存儲(chǔ)設(shè)備,,,,,本章主要內(nèi)容,微型機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)、分類、性能指標(biāo)及層次結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類、結(jié)構(gòu)及常見芯片 存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù) 存儲(chǔ)器與微處理器的連接,5.1 概述—存儲(chǔ)器的分類,按存儲(chǔ)器在系統(tǒng)中的地位分類：主存儲(chǔ)器（主存），輔存儲(chǔ)器（輔存）,兩大類——內(nèi)存、外存,內(nèi)存/主存——存放當(dāng)前運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。特點(diǎn)：存取速度快、容量小、隨機(jī)存取、CPU可直接訪問。材料

2、：通常由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成。分類：RAM、ROM。外存/輔存——存放非當(dāng)前使用的程序和數(shù)據(jù)。特點(diǎn)：存取速度慢、容量大、順序存取/塊存取、需調(diào)入內(nèi)存后 CPU才能訪問。材料：通常由磁、光存儲(chǔ)器構(gòu)成，也可以由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成。分類：磁盤、磁帶、CD-ROM、DVD-ROM、固態(tài)盤、U盤。,5.1 概述—存儲(chǔ)器的分類,按存儲(chǔ)媒質(zhì)分類：磁存儲(chǔ)器，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，光盤存儲(chǔ)器 通常用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為內(nèi)存儲(chǔ)器，用硬磁盤、軟磁盤

3、、光盤、U盤和磁帶作為外存儲(chǔ)器。按信息存取方式分類：RAM，ROM,5.1概述—存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo),存儲(chǔ)容量：一個(gè)存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量，以存儲(chǔ)單元的總位數(shù)表示，即： 容量=字?jǐn)?shù)×字長最大存取時(shí)間：訪問一次存儲(chǔ)器（對(duì)指定單元寫入或讀出）所需要的時(shí)間。幾納秒至幾十納秒。存儲(chǔ)器功耗：正常工作時(shí)所消耗的電功率?？煽啃院凸ぷ鲏勖簩?duì)周圍電磁場、溫度和濕度等的抗干擾能力。,5.1概述--存儲(chǔ)器

4、的層次結(jié)構(gòu),微機(jī)擁有不同類型的存儲(chǔ)部件(多層/多級(jí)結(jié)構(gòu))，由上至下容量越來越大，但速度越來越慢。,寄存器堆,高速緩存,主存儲(chǔ)器,聯(lián)機(jī)外存儲(chǔ)器,脫機(jī)外存儲(chǔ)器,,快,慢,,小,大,容量,速度,CPU內(nèi)核,現(xiàn)代微機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu),存儲(chǔ)器的三級(jí)結(jié)構(gòu):Cache容量小(幾百KB~6M），速度與CPU相當(dāng)主存容量大（128MB~4G) ，速度比Cache慢外存容量大(40~2048GB），速度慢,,5.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器—分類,半導(dǎo)體存儲(chǔ)

5、器優(yōu)點(diǎn)：速度快，存取時(shí)間可達(dá)到ns級(jí)；高度集成化，存儲(chǔ)單元，譯碼電路和緩沖寄存器都制作在同一芯片中，體積小。功耗低，一般只需幾十毫瓦。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按信息存取方式分為RAM和ROM,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)及分類,RAM,靜態(tài)存儲(chǔ)器Static RAM(SRAM) 組成：雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲(chǔ)1/0信息 特點(diǎn): 存取較快\功耗較小\價(jià)格較便宜動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器Dynamic RAM (DRAM) 組成：電容

6、充放電存儲(chǔ)1/0信息 特點(diǎn): 集成度高\(yùn)功耗低\價(jià)格便宜,,,雙極型RAM,MOS型RAM,特點(diǎn): 存取快\驅(qū)動(dòng)強(qiáng)\集成度低\功耗大\價(jià)格高,,SDRAMDDRRAMBUS….,只讀存儲(chǔ)器（ROM）分類,只讀存儲(chǔ)器,ROM (固定或掩模ROM)PROM (一次性可編程ROM)EPROM (可擦除可編程ROM)EEP

7、ROM 或 E2PROM (可電擦除可編程ROM 字節(jié)、頁 )Flash ROM (閃存ROM 整片、塊 ),,5.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器—結(jié)構(gòu),地址譯碼器,A0A1...An-1,,,,,讀寫控制邏輯,存儲(chǔ) 矩陣,,,,,,雙向三態(tài)緩沖器,,,,,,,,,,D0D1...Dn-1,,,,,,,,,,R/W,CE,OE,,,單譯碼方式雙譯碼方式,地址譯碼電路的譯碼

8、方式-以6根地址線為例,選擇線16條,選擇線64條,5.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器--靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）,材料：用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲(chǔ)信息。特點(diǎn)：速度快（<5ns）、不需刷新、外圍電路比較 簡單、但集成度低(存儲(chǔ)容量小，約1Mbit/片)、 功耗大。應(yīng)用：在PC機(jī)中，SRAM被廣泛地用作高速緩沖存儲(chǔ)器Cache。容量與地址線數(shù)關(guān)系： 對(duì)容量=M*N的SRAM芯片，

9、其地址線數(shù)=㏒2M；數(shù)據(jù)線數(shù)=N。 反之，若SRAM芯片的地址線數(shù)為K，則可以推斷其單元數(shù)為2K個(gè)。,典型SRAM芯片,Intel CMOS RAM芯片 2114\6116\6232\6264\62128\62256\62512 (1K ?4 2KB 4KB 8KB 16KB 32KB 64KB) 其中 6116容量=2KB=2K?8=211 ? 8=（27 ? 24 ）?

10、 8 說明：11根地址線(7根X向，4根Y向)， 8根數(shù)據(jù)線， 還需片選線、讀寫線和電源線。,5.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器— 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM,材料：DRAM是靠MOS電路中的柵極電容來存儲(chǔ)信息的。由于電容上的電荷會(huì)逐漸泄漏，需要定時(shí)充電以維持存儲(chǔ)內(nèi)容不丟失(稱為動(dòng)態(tài)刷新)，所以DRAM需要設(shè)置刷新電路，相應(yīng)外圍電路就較為復(fù)雜。

11、 刷新定時(shí)間隔：一般為幾ms 特點(diǎn)：是集成度高（存儲(chǔ)容量大，可達(dá)1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。 應(yīng)用：非常廣泛，如微機(jī)中的內(nèi)存條、顯卡上的顯存幾乎都是用DRAM制造的。 注意：DRAM與SRAM的異同,常見DRAM的種類：(1) SDRAM——它在1個(gè)CPU時(shí)鐘周期內(nèi)可完成數(shù)據(jù)的訪問和刷新，即可與CPU的時(shí)鐘同步工作。SDRAM的工作頻率目前最大可達(dá)15

12、0MHz，存取時(shí)間約為5～10ns，最大數(shù)據(jù)率為150MB/s。(2) RDRAM——由Rambus公司所開發(fā)的高速DRAM。其最大數(shù)據(jù)率可達(dá)1.6GB/s。(3) DDR DRAM——是對(duì)SDRAM的改進(jìn)，它在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都可以傳送數(shù)據(jù)，其數(shù)據(jù)率可達(dá)200~800 MB/s。RAM的3個(gè)特性：(1) 可讀可寫 非破壞性讀出，寫入時(shí)覆蓋原內(nèi)容。(2) 隨機(jī)存取 存取任一單元所需的時(shí)間相同。(3) 易失性（揮發(fā)性）

13、 當(dāng)斷電后，存儲(chǔ)器中的內(nèi)容立即消失。,典型DRAM芯片2164A,常見DRAM有4116(16K×1)和2164(64K×1)等容量=64K×1位=216×1 =(28×28)×1 =(256×256)×1采用行地址X和列地址Y 雙方向譯碼來確定一個(gè)單元；行地址、列地址分時(shí)傳送，共用一組地址線A0~A7；地址線的數(shù)量僅為同等容量SRAM芯片的一

14、半。,5.3只讀存儲(chǔ)器（ROM）,掩模 ROM一次性可寫 PROM可讀寫ROM,分 類,EPROM（紫外線擦除）EEPROM（電擦除）Flash ROM (快速閃存),,,5.3只讀存儲(chǔ)器--EPROM,特點(diǎn)：可多次編程寫入；掉電后內(nèi)容不丟失；內(nèi)容的擦除需用紫外線擦除器。,典型的EPROM芯片有：2716(2K×8)、 2732 (4K×8) 、

15、 2764 (8K×8)、 27128 (16K×8)、 27256 (32K×8) 、27512 (64K×8)等,EPROM2764芯片引腳及內(nèi)部結(jié)構(gòu),EPROM 2764的主要引腳,8K×8bit芯片，其引腳與SRAM 6264完全兼容主

16、要引腳: 地址信號(hào)：A0 ~ A12 數(shù)據(jù)信號(hào)：D0 ~ D7 輸出信號(hào)：OE 片選信號(hào)：CE 編程脈沖輸入：PGM 編程電壓: VPP,,,,,2764的工作方式,數(shù)據(jù)讀出

17、 -- 在正常工作電路中編程寫入 -- 在專門的寫入器中擦除 -- 在專門的擦除器中,標(biāo)準(zhǔn)編程方式快速編程方式,,,其中編程寫入的特點(diǎn): 每出現(xiàn)一個(gè)編程負(fù)脈沖PGM就寫入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù),工作方式,,2764A的工

18、作方式選擇表,5.3只讀存儲(chǔ)器--EEPROM（ E2PROM ）,特點(diǎn)：可在線編程寫入；掉電后內(nèi)容不丟失；電可擦除。,典型E2PROM芯片有：2816/2817（2K×8）、 2864/98C64A （8K×8）等,5.3只讀存儲(chǔ)器--閃速 flash E2PROM,特點(diǎn)： 通過向內(nèi)部

19、控制寄存器寫入命令的方法來控制芯片的工作方式，而非用引腳的信號(hào)來控制芯片的工作。應(yīng)用 BIOS 便攜式閃存硬盤（U盤）,典型的芯片：28F040（512K×8）等,5.4存儲(chǔ)器與微處理器的連接--需考慮的問題,1. CPU總線時(shí)序與M的讀寫時(shí)序 高速CPU與低速M(fèi)間的速度若不匹配，應(yīng)在CPU訪問M的周期內(nèi)插入等待脈沖TW。下面僅考慮兩者匹配。2. CPU總線的負(fù)載能力

20、 系統(tǒng)總線一般能帶1~幾個(gè)TTL負(fù)載。系統(tǒng)總線需驅(qū)動(dòng)隔離時(shí)，DB要雙向驅(qū)動(dòng)，AB與CB則單向驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)器的輸出連至M或其他電路。下面僅考慮不需驅(qū)動(dòng)。 3．存儲(chǔ)器的組織、地址分配和譯碼 由于M芯片的容量是有限的，微機(jī)中M的總?cè)萘恳话氵h(yuǎn)大于M芯片的容量，因此，M往往由多片M芯片組成，在CPU與M芯片之間必須設(shè)有片選擇譯碼電路，一般由CPU的高位地址譯碼產(chǎn)生片選，而低位地址送給存儲(chǔ)器芯片的地址輸入端，以提

21、供存儲(chǔ)芯片內(nèi)部的行、列地址。,,6264芯片與系統(tǒng)的連接--類比居民小區(qū)尋找10- 508,,,A0,A12,?,?,?,WE,OE,CS1,CS2,,,,?,?,?,,,,,,A0,A12,MEMW,MEMR,,,譯碼電路,,,,,,D0~D7,? ? ?,? ??,低位地址信號(hào),A13,? ??,6264(1),8088系統(tǒng),A19,D0~D7,+5V,,8086/8088,最大模式/最小模式,,,系統(tǒng)總線,存儲(chǔ)總線

22、,6264(n),,Y0,Yn,,,? ? ?,? ? ?,內(nèi)存,,片外地址,片內(nèi)地址,片內(nèi)地址,片外地址,高位地址信號(hào),譯碼電路,作用: 將輸入的一組二進(jìn)制編碼變換為一個(gè)特定的控制信號(hào)，即：將輸入的一組高位地址信號(hào)通過變換，產(chǎn)生一個(gè)有效的控制信號(hào)，用于選中某一個(gè)存儲(chǔ)器芯片，從而確定該存儲(chǔ)器芯片在內(nèi)存中的地址范圍。組成: 它可用普通的邏輯芯片或?qū)ｉT的譯碼器實(shí)現(xiàn)。存儲(chǔ)器地址譯碼方法: 根據(jù)存儲(chǔ)器的片選信號(hào)譯碼（1）線選法:

23、 從高位選擇幾條地址線（2）全譯碼法: 高位全部參加譯碼（3）部分譯碼: 高位地址線部分參加譯碼,（1）全譯碼法 片內(nèi)尋址未用的全部高位地址線都參加譯碼，譯碼輸出作為片選信號(hào)。 全譯碼的優(yōu)點(diǎn)是每個(gè)芯片的地址范圍是唯一確定，而且各片之間是連續(xù)的。缺點(diǎn)是譯碼電路比較復(fù)雜。 （2）部分譯碼 用片內(nèi)尋址外的高位地址的一部分譯碼產(chǎn)生片選信號(hào)。 部分譯碼優(yōu)點(diǎn)是較全譯碼簡單，但缺點(diǎn)是存在地址重疊

24、區(qū)。 （3）線選法 高位地址線不經(jīng)過譯碼，直接（或經(jīng)反相器）分別接各存儲(chǔ)器芯片的片選端來區(qū)別各芯片的地址。 它的優(yōu)點(diǎn)是電路最簡單, 但缺點(diǎn)是也會(huì)造成地址重疊，且各芯片地址不連續(xù)。,三種譯碼方式特點(diǎn),全地址譯碼,用全部的高位地址信號(hào)作為譯碼信號(hào)，使得存儲(chǔ)器芯片的每一個(gè)單元都占據(jù)一個(gè)唯一的內(nèi)存地址。,,,存儲(chǔ)器芯片,譯碼器,,,低位地址,全部高位地址,全部地址,,,片選信號(hào),A0,Ax,存儲(chǔ)器芯片,

25、,,,優(yōu)點(diǎn)是每個(gè)芯片的地址范圍是唯一確定，而且各片之間是連續(xù)的。缺點(diǎn)是譯碼電路比較復(fù)雜。,…,…,,全地址譯碼例,6264芯片的地址范圍： A19~A13 A12~A0 A19~A13 A12~A0111100000……0 ~ 111100011……1 = F0000 H ~ F1FFF H,,,,,,,,,A19,A18,A17,A16,A15,A14,A13,&,≥1,,,,,A12～A0,,

26、D7～D0,,,,高位地址線全部參加譯碼,,,,6264,A12~A0,D7~D0,,,,,,,,,0,1,1,1,1,1,0,0,0,,部分地址譯碼,用部分高位地址信號(hào)（而不是全部）作為譯碼信號(hào)，使得被選中的存儲(chǔ)器芯片占有幾組不同的地址范圍。,,,存儲(chǔ)器芯片,譯碼器,,,低位地址,部分高位地址,全部地址,,,片選信號(hào),A0,Ax,存儲(chǔ)器芯片,,,,部分譯碼較全譯碼簡單，但存在地址重疊區(qū)。,…,…,部分地址譯碼例,同一物理存

27、儲(chǔ)器占用兩組地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH A18不參與譯碼（ A18=1/0=x）,,,,,,,,,,A19,A17,A16,A15,A14,A13,&,≥1,,,,到6264CS1,,0,0,0,1,1,1,1,0,A19A18 A17~A13 A12~A0 1 1/0 1 1 0 0 0 0 ~ 0

28、 1 ~ 1,= F0000H~F1FFFH 或 B0000H~B1FFFH,此例使用高5位地址作為譯碼信號(hào)，從而使被選中芯片的每個(gè)單元都占有兩個(gè)地址，即這兩個(gè)地址都指向同一個(gè)單元。,使用譯碼器的應(yīng)用舉例,將SRAM 6264芯片與系統(tǒng)連接，使其地址范圍為：38000H~39FFFH和78000H~79FFFH。選擇使用74LS138譯碼器構(gòu)成譯碼電路,Y0G1 Y1G2A Y2

29、G2B Y3Y4A Y5B Y6C Y7,,,,,,,,,,,,,,,,,,片選信號(hào)輸出,譯碼允許信號(hào),地址信號(hào),（接到不同的存儲(chǔ)體上）,74LS138邏輯圖：,,,,,,,,,,,74LS138的真值表（注意：輸出低電平有效） 可以看出，當(dāng)譯碼允許信號(hào)有效時(shí)，Yi是輸入A、B、C的函數(shù)，即 Y=f(A,B,C),1,1,1,1,1,1,1,1,X X X,其 他 值,0,1,

30、1,1,1,1,1,1,1 1 1,1 0 0,1,0,1,1,1,1,1,1,1 1 0,1 0 0,1,1,0,1,1,1,1,1,1 0 1,1 0 0,1,1,1,0,1,1,1,1,1 0 0,1 0 0,1,1,1,1,0,1,1,1,0 1 1,1 0 0,1,1,1,1,1,0,1,1,0 1 0,1 0 0,1,1,1,1,

31、1,1,0,1,0 0 1,1 0 0,1,1,1,1,1,1,1,0,0 0 0,1 0 0,Y7,Y6,Y5,Y4,Y3,Y2,Y1,Y0,C B A,G1 G2A G2B,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,應(yīng)用舉例(續(xù)):,,,D0~D7,A0,A12,?,?,?,WE,OE,CS1,CS2,,,,?,?,?,,,,,,A0,A12,MEMW,MEMR,

32、,,,,D0~D7,,G1,G2A,G2B,C,B,A,,&,,,,,,,,,,,,&,A19,A14,A13,,,,,A17,A16,A15,,,+5V,,,Y0,,,,下圖中A18不參與譯碼，故6264的地址范圍為：,,=38000H~39FFFH或78000H~79FFFH,6264,,138,CPU系統(tǒng),1,0,0,0,0,0,1,1,1,0/1,1/0,0,Y7,,,? ? ?,可接其它存儲(chǔ)芯片,A19A18

33、 A17~A13 A12~A00 0/1 1 1 1 0 0 0 ~ 0 1 ~ 1,線選地址譯碼,,高位地址線不經(jīng)過譯碼，直接（或經(jīng)反相器）分別接各存儲(chǔ)器芯片的片選端來區(qū)別各芯片的地址。,,,存儲(chǔ)器芯片,,,低位地址,高位地址,全部地址,,,片選信號(hào),A0,Ax,存儲(chǔ)器芯片,,,,也會(huì)造成地址重疊，且各芯片地址不連續(xù)

34、。,…,…,,,,,,,數(shù)據(jù)線的連接：系統(tǒng)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，每個(gè)存儲(chǔ)器單元的位數(shù)為8位，而存儲(chǔ)器芯片每個(gè)存儲(chǔ)單元的位數(shù)卻有多樣，有1位、4位、8位。,控制線的連接：,5.5存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù),位擴(kuò)展 —— 擴(kuò)展每個(gè)存儲(chǔ)單元的位數(shù) (擴(kuò)展寬度)字?jǐn)U展 —— 擴(kuò)展存儲(chǔ)單元的個(gè)數(shù) (擴(kuò)展長度)字位擴(kuò)展—— 兩者的綜合 (擴(kuò)展寬度和長度),用多片存儲(chǔ)芯片構(gòu)成一個(gè)需要的內(nèi)存空間，它們?cè)谡麄€(gè)

35、內(nèi)存中占據(jù)不同的地址范圍，任一時(shí)刻僅有1片（或1組）被選中。,,假設(shè)擴(kuò)展同種芯片，則需要的芯片 ： 總片數(shù)＝總?cè)萘?（容量/片）,位擴(kuò)展,存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)容量等于M × N ： 單元數(shù)M（=2K） × 每單元的位數(shù)N當(dāng)構(gòu)成內(nèi)存的存儲(chǔ)芯片的字長 < 內(nèi)存單元的字長時(shí)，就要進(jìn)行位擴(kuò)展，使每個(gè)單元的字長滿足要求。8088/8086的內(nèi)存單元的字長=8/16。,字節(jié)數(shù),字長,

36、,,,,,,10,4,4,1,,位擴(kuò)展例: 把兩片SRAM 2114,其容量=1K?4=210 ? 4 擴(kuò)展為1KB=1K ?8,(1) 多個(gè)位擴(kuò)充的存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)線連接于系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的不同位數(shù), 其它連接都一樣; (2) 這些芯片應(yīng)被看作是一個(gè)整體, 常被稱為“芯片組”,它們應(yīng)同時(shí)選中,一起進(jìn)行讀或?qū)?,兩個(gè)芯片可看作為一個(gè)整體的“芯片組”,位擴(kuò)展方法總結(jié)：

37、 位擴(kuò)展方法： 將每片的地址線、控制線并聯(lián)，數(shù)據(jù)線分別引出。位擴(kuò)展特點(diǎn)： 存儲(chǔ)器的單元數(shù)不變，位數(shù)增加。,字?jǐn)U展,特點(diǎn): 地址空間的擴(kuò)展。芯片每個(gè)單元中的字長滿足，但單元數(shù)不滿足。擴(kuò)展原則： 每個(gè)芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、控制線并聯(lián)，僅片選端分別引出，以實(shí)現(xiàn)每個(gè)芯片占據(jù)不同的地址范圍。,注意：實(shí)際上前面講授SRAM擴(kuò)展時(shí)已介紹了,字?jǐn)U展例,用兩片1K

38、B=1K×8位=210 ×8位的SRAM芯片構(gòu)成容量為2KB=2K×8位的存儲(chǔ)器,兩芯片不同時(shí)選中,不會(huì)同時(shí)工作,1K?8,1K?8,總?cè)萘?K?8,字位擴(kuò)展,根據(jù)內(nèi)存容量及芯片容量確定所需存儲(chǔ)芯片數(shù)；進(jìn)行位擴(kuò)展以滿足字長要求；進(jìn)行字?jǐn)U展以滿足容量要求。若已有存儲(chǔ)芯片的容量為L×K，要構(gòu)成容量為M ×N的存儲(chǔ)器，需要的芯片數(shù)為： (M ×N) / (L

39、15;K) =（M / L） ×（N / K）,即 總片數(shù)＝總?cè)萘?（容量/片）= 字?jǐn)U展倍數(shù) × 位擴(kuò)展倍數(shù),字位擴(kuò)展例,用4K×1位=212×1的芯片組成16KB =214×8的存儲(chǔ)器。擴(kuò)成4KB —— 8片再擴(kuò)成16KB —— 4*8=32片 (=16K×8 / 4K×1)地址線需14根（A0-A13），其中12根（A0-A11）用于片內(nèi)尋址，2根（A1

40、2，A13）用于片選譯碼。注意:以上的例子中所需的地址線數(shù)并未從系統(tǒng)整體上考慮。 在實(shí)際系統(tǒng)中，總線中的地址線數(shù)往往要多于所需的地址線數(shù)，這時(shí)除片內(nèi)尋址的低位地址線(即片內(nèi)地址線)外，剩余的高位地址線一般都要用于片選譯碼。,例: 某半導(dǎo)體存儲(chǔ)器總?cè)萘?Kⅹ8。其中固化區(qū)2K字節(jié)，選用EPROM芯片2716（2Kⅹ8）；工作區(qū)2K字節(jié)，選用SRAM芯片2114（1Kⅹ4）。,解： 先確定所需芯片數(shù)：固化區(qū)

41、2Kⅹ8，需2716一塊；工作區(qū)2Kⅹ8，2塊2114拼接為一組容量為1Kⅹ8，需2組，共4塊2114。見下圖。 存儲(chǔ)器總?cè)萘繛?Kⅹ8，共12條地址線A0～A11，8條數(shù)據(jù)線，各存儲(chǔ)器芯片的地址分配和片選邏輯如下表。,,,,IBM－PC/XT計(jì)算機(jī)擴(kuò)展槽上與存儲(chǔ)器連接的總線信號(hào)為20根地址線A19～A0，8根數(shù)據(jù)線D7～D0以及存儲(chǔ)器讀寫信號(hào)和。使用這些信號(hào)擴(kuò)展1片27256（32K×8 EPROM）和1