n阱cmos

1、《微電子技術綜合實踐微電子技術綜合實踐》設計報告設計報告題目：N阱CMOS芯片薄膜工藝設計院系：自動化學院電子工程系專業(yè)班級：學生學號：學生姓名：指導教師姓名：成績：223MOS管的器件特性設計管的器件特性設計1、PMOSPMOS管參數設計與計算：管參數設計與計算：因為其中，6，oxBGStEBV??BE610cmVVBVGS20?所以（為便于計算取400）333106206????cmVBGSoxEBVt飽和電流：，式中（VGSVT）

2、≥VDS(sat)，2()()2poxDGSTWCIsatVVL???oxoxoxtC??則IDsat≥1mA故可得寬長比：281075.8cmFCox???65.11?LW由可得寬長比：msVVLCWVIgTGSOXGSDm5.0)(p???????75.8?LW?65.11?LWGHzLVVfTGSp12)(2max??????mL?24.3?msfoxoxSSSDTPtQQV????????n(max)2)||(取PMOS襯底濃度

3、為查出功函數差與摻雜濃度的關系可知：?DN314105??cm)ln(dnifnNeKT??29106.1cmcqQQSSSS????TDSDxdeNQ?(max)21n)4(DfsTeNxd???取發(fā)現(xiàn)當時；=0.23VTxd=1.1810cm，AN314105???cmNAfn?Vms285.0???4=，符合要求(max)SDQ29cm1044.9C??VVTP03.1??又可知便于計算及工藝對稱美觀性，?22LqNBVsADS?