發(fā)射光譜研究多針對(duì)板電暈放電微觀電參數(shù)及激發(fā)態(tài)OH自由基特性.pdf

1、針-板式直流電暈放電具有能耗低，對(duì)低濃度污染物去除效率高等特點(diǎn)。但目前針對(duì)電暈放電電離區(qū)與遷移區(qū)內(nèi)電流密度與電場(chǎng)分布的估算、自由基等活性物種特性等微觀特性方面的研究還不多見。
　　 本實(shí)驗(yàn)用光學(xué)發(fā)射光譜(OES)診斷多針對(duì)板直流電暈放電電離區(qū)N2第二正帶躍遷。通過對(duì)電離區(qū)內(nèi)空間各點(diǎn)ISPB的檢測(cè)，確定ISPB空間分布，分析電離區(qū)微觀放電特性。利用泊松方程對(duì)多針對(duì)板直流電暈放電電場(chǎng)分布和電流密度進(jìn)行理論分析。結(jié)合ISPB空間分布，

2、分析電離區(qū)微觀特性及其與宏觀電參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。然后，對(duì)OH進(jìn)行檢測(cè)，研究負(fù)電暈放電電參數(shù)(包括放電電壓、放電電流、放電功率、電極間距)和相對(duì)濕度對(duì)OH特性的影響。確定宏觀參數(shù)與OH微觀特性之間的關(guān)系。利用正電暈流光階段OH空間分布的數(shù)據(jù)，擬合出OH的空間分布，確定了流光放電間隙OH分布特性。得到的結(jié)論有：
　　 正輝光放電電離區(qū)ISPB先增大后減小。從電離區(qū)中層到外層，ISPB反應(yīng)高能電子密度分布，逐漸減小。負(fù)輝光放電ISPB分

3、布與正電暈一致；根據(jù)泊松方程求得放電區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度與電流密度的表達(dá)式。電離區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度隨距離r先增大再減小。實(shí)驗(yàn)中ISPB最大值處與理論推導(dǎo)的電場(chǎng)強(qiáng)度最大值較一致：電離區(qū)電流密度沿針尖軸向呈減小趨勢(shì)，并與ISPB在電離區(qū)中層和外層呈良好的線性關(guān)系。電離區(qū)外層離子遷移對(duì)電流形成起一定作用；遷移區(qū)內(nèi)，電流強(qiáng)度與原點(diǎn)的距離無關(guān)。
　　 負(fù)電暈輝光放電，OH隨電壓和電流的升高而增加。單位功率OH隨總功率增大而減小；電離區(qū)內(nèi)OH沿針尖軸向先增大