電容等效串聯(lián)電感

1、電容等效串聯(lián)電感計算公式是什么電容等效串聯(lián)電感計算公式是什么各位大蝦好有那位能給我一個金屬化膜等效串聯(lián)電阻及電感的計算公式嗎本人不勝感謝!?電容選擇上都采用的MLCC的電容進行退耦，常見的MLCC的電容因為介質(zhì)的不同可以進行不同的分類，可以分成NPO的第一類介質(zhì)，X7R和Z5V等的第二、三類介質(zhì)。EIA對第二、三類介質(zhì)使用三個字母，按照電容值和溫度之間關(guān)系詳細分類為：第一個數(shù)字表示下限類別溫度：X：－55度；Y：－30度；Z：＋10度第

2、二個數(shù)字表示上限溫度：4：＋65度；5：＋85度；6：105度；7：125度；8：150度；第三個數(shù)字表示25度容量誤差：P：＋10％10％；R：＋15％15％；S：＋22％22％；T：＋22％33％；U：＋22％56％；V：＋22％82％例如我們常見的Z5V，表示工作溫度是10度～85度，標稱容量偏差＋22％82％，為了做成純文檔的格式，盡量采用文字說明，不不采用圖片，這樣給理解帶來一定的困難，看官們見笑了。設(shè)電源引腳和地引腳的封裝電

3、感和引線電感之和分別為：Lv和Lg。兩個互補的MOS管（接地的NMOS和接電源的PMOS）簡單作為開關(guān)使用。假設(shè)初始時刻傳輸線上各點的電壓和電流均為零，在某一時刻器件將驅(qū)動傳輸線為高電平，這時候器件就需要從電源管腳吸收電流。在時間T1，使PMOS管導通，電流從PCB板上的VCC流入，流經(jīng)封裝電感Lv，跨越PMOS管，串聯(lián)終端電阻，然后流入傳輸線，輸出電流幅度為VCC（2Z0）。電流在傳輸線網(wǎng)絡(luò)上持續(xù)一個完整的返回（RoundTrip）時

4、間，在時間T2結(jié)束。之后整個傳輸線處于電荷充滿狀態(tài)，不需要額外流入電流來維持。當電流瞬間涌過封裝電感Lv時，將在芯片內(nèi)部的電源提供點產(chǎn)生電壓被拉低的擾動。該擾動在電源中被稱之為同步開關(guān)噪聲（SSN，SimultaneousSwitchingNoise；SSO，SimultaneousSwitchingOutputNoise）或DeltaI噪聲。在時間T3，關(guān)閉PMOS管，這一動作不會導致脈沖噪聲的產(chǎn)生，因為在此之前PMOS管一直處于打開

5、狀態(tài)且沒有電流流過的。同時打開NMOS管，這時傳輸線、地平面、封裝電感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬間電流流過開關(guān)B，這樣在芯片內(nèi)部的地結(jié)點處產(chǎn)生參考電平點被抬高的擾動。該擾動在電源系統(tǒng)中被稱之為地彈噪聲（GroundBounce，我個人讀著地tan）。實際電源系統(tǒng)中存在芯片引腳、PCB走線、電源層、底層等任何互連線都存在一定電感值，因此上面就IC級分析的SSN和地彈噪聲在進行BoardLevel分析時，以同樣的方式存在，而不僅僅局

6、限于芯片內(nèi)部。就整個電源分布系統(tǒng)來說（PowerDistributeSystem）來說，這就是所謂的電源電壓塌陷噪聲。因為芯片輸出的開關(guān)操作以及芯片內(nèi)部的操作，需要瞬時的從電源抽取較大的電流，而電源特性來說不能快速響應(yīng)該電流變化，高速開關(guān)電源開關(guān)頻率也僅有MHz量級。為了保證芯片附近電源線上的電壓不至于因為SSN和地彈噪聲降低超過器件手冊規(guī)定的容限，這就需要在芯片附近為高速電流需求提供一個儲能電容，這就是我們所要的退耦電容。如果電容是理

7、想的電容，選用越大的電容當然越好了，因為越大電容越大，瞬時提供電量的能力越強，由此引起的電源軌道塌陷的值越低，電壓值越穩(wěn)定。但是，實際的電容并不是理想器件，因為材料、封裝等方面的影響，具備有電感、電阻等附加特性；尤其是在高頻環(huán)境中更表現(xiàn)的更像電感的電氣特性。我們都知道實際電容的模型簡單的以電容、電阻和電感建立。除電容的容量C以外，還包括以下寄生參數(shù)：在此，需要說明我們引入的去耦電容是為了去除比電源的去耦電容沒有濾除的更高頻率的噪聲，例如

8、在電路板級參數(shù)中串聯(lián)電感約為Lserial＝5nH，那么電源的退耦頻率：Fbypass＝Xmax(2piLserial)＝982KHz，這就是電源本身的濾波頻率，當頻率高于此頻率時，電源電路的退耦電路不起作用，需要引入芯片的退耦電容進行濾波。另外引入另外一個參數(shù)——轉(zhuǎn)折點頻率Fknee，該頻率決定了數(shù)字電路中主要的能量分布，高于該頻率的分量認為對數(shù)字電路的上升沿和下降沿變化沒有貢獻。在HighSpeedDigitalDesign:AHB

9、ookofBlackMagic這本書的第一章就詳細的討論了該問題，在此不進行詳細說明。只是引入其中推倒的公式：Fknee＝（12Tr）＝250MHz，其中Tr＝2ns；可見Fknee遠遠大于Fbypass，5nH的串聯(lián)電感肯定是不行了。那么計算：Ltot＝Xmax(2piFknee)＝(XmaxTrpi)=19.7pH如前面提到的常見的貼片電容的串聯(lián)電感在1.5nH左右，所需要的電容個數(shù)是：N＝（LserialLtot）=76個，另外當

10、頻率降到Fbypass的時候，也應(yīng)該滿足板級容抗需要即：Carray=(1（2piFbypassXmax）)＝5.23uF；Celement=CarrayN=69nF.1、電容容值；2、電介質(zhì)材料；3、電容的幾何尺寸和放置位置。?添加評論評論讀取中...請登錄后再發(fā)表評論!取消?kpgyeqjgo|2010011601:25:50?有0人認為這個回答不錯|有0人認為這個回答沒有幫助?磁珠的原理磁珠的主要原料為鐵氧體。鐵氧體是一種立方晶格

11、結(jié)構(gòu)的亞鐵磁性材料。鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金，它的制造工藝和機械性能與陶瓷相似，顏色為灰黑色。電磁干擾濾波器中經(jīng)常使用的一類磁芯就是鐵氧體材料，許多廠商都提供專門用于電磁干擾抑制的鐵氧體材料。這種材料的特點是高頻損耗非常大，具有很高的導磁率，他可以是電感的線圈繞組之間在高頻高阻的情況下產(chǎn)生的電容最小。對于抑制電磁干擾用的鐵氧體，最重要的性能參數(shù)為磁導率μ和飽和磁通密度Bs。磁導率μ可以表示為復(fù)數(shù)，實數(shù)部分構(gòu)成電感，虛數(shù)部分代表損耗