emi控制方法

1、EMI控制方法：屏蔽、濾波、接地我們知道，造成設(shè)備性能降低或失效的電磁干擾必須同時(shí)具備三個(gè)要素，首先是有一個(gè)電磁場(chǎng)所，其次是有干擾源和被干擾源，最后就是具備一條電磁干擾的耦合通路，以便把能量從干擾源傳遞到受干擾源。因此，為解決設(shè)備的電磁兼容性，必須圍繞這三點(diǎn)來分析。一般情況下，對(duì)于EMI的控制，我們主要采用三種措施：屏蔽、濾波、接地。這三種方法雖然有著獨(dú)立的作用，但是相互之間是有關(guān)聯(lián)的，良好的接地可以降低設(shè)備對(duì)屏蔽和濾波的要求，而良好的

2、屏蔽也可以使濾波器的要求低一些。下面，我們來分別介紹屏蔽、濾波和接地。1屏蔽屏蔽能夠有效的抑制通過空間傳播的電磁干擾。采用屏蔽的目的有兩個(gè)，一個(gè)是限制內(nèi)部的輻射電磁能量外泄出控制區(qū)域，另一個(gè)就是防止外來的輻射電磁能量入內(nèi)部控制區(qū)。按照屏蔽的機(jī)理，我們可以將屏蔽分為電場(chǎng)屏蔽、磁場(chǎng)屏蔽、和電磁場(chǎng)屏蔽。1.1電場(chǎng)屏蔽一般情況下，電場(chǎng)感應(yīng)可以看成是分布電容間的耦合，圖1是一個(gè)電場(chǎng)感應(yīng)的示意圖。圖1電場(chǎng)感應(yīng)示意圖其中A為干擾源，B為受感應(yīng)設(shè)備，其

3、中Ua和Ub之間的關(guān)系為Ub=C1Ua(C1C2)C1為A、B之間的分布電容C2為受感應(yīng)設(shè)備的對(duì)地電容。根據(jù)示意圖和等式，為了減弱B上面的地磁感應(yīng)，使用的方法有由于磁場(chǎng)屏蔽通常是對(duì)直流或很低頻場(chǎng)的屏蔽，其效果和電場(chǎng)屏蔽和電磁場(chǎng)屏蔽相比要差很多，磁場(chǎng)屏蔽的主要手段就是依賴高導(dǎo)磁材料具有的低磁阻，對(duì)磁通起分路的作用，使得屏蔽體內(nèi)部的磁場(chǎng)大大減弱。對(duì)于磁場(chǎng)屏蔽需要注意的幾點(diǎn)：減小屏蔽體的磁阻(通過選用高導(dǎo)磁率材料和增加屏蔽體的厚度)被屏蔽設(shè)備

4、和屏蔽體間保持一定距離，減少通過屏蔽設(shè)備的磁通。對(duì)于不可避免使用縫隙或者接風(fēng)口的，盡量使縫隙或者接風(fēng)口呈條形，并且順沿著電磁線的方向，減少磁通。對(duì)于強(qiáng)電場(chǎng)的屏蔽，可采用雙層磁屏蔽體的結(jié)構(gòu)。對(duì)要屏蔽外部強(qiáng)磁場(chǎng)的，則屏蔽體外層要選用不易磁飽和的材料，如硅鋼等而內(nèi)部可選用容易到達(dá)飽和的高導(dǎo)磁材料。因?yàn)榈谝淮纹帘蜗魅醪糠?，第二次削弱大部分，如果都使用高?dǎo)磁，會(huì)造成進(jìn)入一層屏蔽的在一層和二層間造成反射。如果要屏蔽內(nèi)部的磁場(chǎng)，則相反。而屏蔽體一般通

5、過非磁性材料接地。1.3電磁場(chǎng)屏蔽電磁場(chǎng)屏蔽是利用屏蔽體阻隔電磁場(chǎng)在空間傳播的一種措施。和前面電場(chǎng)和磁場(chǎng)的屏蔽機(jī)理不同，電磁屏蔽對(duì)電磁波的衰減有三個(gè)過程：當(dāng)電磁波在到達(dá)屏蔽體表面時(shí)，由于空氣與金屬的交界面上阻抗不連續(xù)，對(duì)入射波產(chǎn)生反射，這種反射不要求屏蔽材料必須有一定厚度，只需要交界面上的不連續(xù)。進(jìn)入屏蔽體的電磁波，在屏蔽體中被衰減。穿過屏蔽層后，到達(dá)屏蔽層另一個(gè)屏蔽體，由于阻抗不連續(xù)，產(chǎn)生反射，重新回到屏蔽體內(nèi)。從上面三個(gè)過程看來，電