短波紅外ingaas探測(cè)器功能簡(jiǎn)析

1、紅外線是波長(zhǎng)介于微波與可見(jiàn)光之間的電磁波，波長(zhǎng)在0.75～1000μm之間，其在軍事、通訊、探測(cè)、醫(yī)療等方面有廣泛的應(yīng)用。目前對(duì)紅外線的分類還沒(méi)有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，各個(gè)專業(yè)根據(jù)應(yīng)用的需要，有著自己的一套分類體系。一般使用者對(duì)紅外線的分類為（1）近紅外(NIRIRADIN)：波長(zhǎng)在0.75～1.4μm；（2）短波紅外(SWIRIRBDIN)：波長(zhǎng)在1.4～3μm；（3）中波紅外(MWIRIRCDIN)：波長(zhǎng)在3～8μm；（4）長(zhǎng)波紅外(LWIR

2、IRCDIN)：波長(zhǎng)在8～15μm；（5）遠(yuǎn)紅外(FIR)：波長(zhǎng)在15～1000μm。根據(jù)Maxwell電磁方程，紅外線在空氣等物質(zhì)內(nèi)部和界面?zhèn)鞑?huì)發(fā)生吸收、反射和透射等，其中吸收是影響傳播的最主要因素?？諝庵械囊恍怏w分子如CO2、H2O等有著與其物質(zhì)分子結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的特征吸收譜線，對(duì)某些波長(zhǎng)的紅外線產(chǎn)生強(qiáng)烈地吸收，而對(duì)另外一些紅外線則不產(chǎn)生吸收，從而表現(xiàn)出很高的透射率。大氣中對(duì)紅外輻射吸收比較少的波段稱為“大氣窗口”，主要包括三個(gè)：1

3、～3μm，3～5μm，8～14μm，圖1描述了紅外線在大氣中傳播的透射曲線。紅外探測(cè)器紅外探測(cè)器從1800年英國(guó)W.Herschel發(fā)現(xiàn)紅外線到現(xiàn)在已有二百多年歷史。人們通過(guò)不斷地技術(shù)開(kāi)發(fā)和創(chuàng)新，使紅外應(yīng)用從軍事國(guó)防迅速朝著資源勘探、氣象預(yù)報(bào)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、醫(yī)學(xué)診治、海洋研究等關(guān)系到國(guó)計(jì)民生的各個(gè)領(lǐng)域擴(kuò)展。在這些應(yīng)用中紅外探測(cè)又顯得特別重要，因?yàn)橐玫匮芯考t外線必須先對(duì)其進(jìn)行探測(cè)。理論上任何形態(tài)的物質(zhì)只要在紅外輻射作用下發(fā)生某種性質(zhì)或物理

4、量的變化，都可以被用來(lái)進(jìn)行紅外探測(cè)。目前來(lái)說(shuō)按照工作機(jī)理不同紅外探測(cè)器常被分為熱探測(cè)器和光子型探測(cè)器。熱探測(cè)器利用紅外光的熱效應(yīng)及材料對(duì)溫度的敏感性來(lái)測(cè)量紅外輻射，其原理是熱敏材料吸收紅外光后溫度升高，利用材料的溫度敏感特性將溫度的變化轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。目前主要利用溫差電效應(yīng)、熱釋電效應(yīng)、金屬、氣體等熱脹冷縮現(xiàn)象、超導(dǎo)體在Tc附近升高溫度電阻急劇變化等等。熱探測(cè)的響應(yīng)速度較慢，但其波長(zhǎng)響應(yīng)范圍寬。光子型探測(cè)器是利用光電效應(yīng)原理設(shè)計(jì)和制作的，

5、光電效應(yīng)可分為光電子發(fā)射效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)和光磁電效應(yīng)。光電子發(fā)射效應(yīng)是指在光輻射作用下產(chǎn)生的光電子逸出被照射材料的表面，稱為外時(shí)間研究和應(yīng)用，基本上形成了HgCdTe、InGaAs領(lǐng)軍，GaSb、PtSi等其它材料百花齊放的格局。隨著材料工藝和集成電路研究低不斷深入，采用HgCdTe和InGaAs等材料制造的短波紅外焦平面探測(cè)器已經(jīng)商品化并已廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域。相對(duì)于HgCdTe來(lái)說(shuō)，InGaAs更容易生長(zhǎng)質(zhì)量控制和工藝處

6、理，并且有對(duì)應(yīng)的大直徑和高質(zhì)量IIIV族襯底，因此InGaAs紅外焦平面探測(cè)器在短波紅外波段的應(yīng)用具有不可估量的前景。InGaAs紅外探測(cè)器紅外探測(cè)器三元系材料InxGa1xAs是由GaAs和InAs形成的混合固溶體，為閃鋅礦結(jié)構(gòu)，屬于直接帶隙半導(dǎo)體，其能帶隨合金的變化而變化，如圖3所示。InxGa1xAs的禁帶寬度從InAs的0.35eV(3.5μm)到GaAs的1.42eV(0.87μm)，晶格常數(shù)由InAs的6.06到GaAs的5

7、.65。其中與InP襯底(晶格常數(shù)為5.87)晶格匹配的In0.53Ga0.47As禁帶寬度為0.74eV(1.7μm)，目前已經(jīng)在0.9～1.7μm波段得到廣泛的應(yīng)用，如光纖通信，夜視等。如果要探測(cè)更長(zhǎng)一點(diǎn)的波段，比如檢測(cè)農(nóng)作物中水分的吸收峰1.9μm，就需要增加InxGa1xAs中In的組分，不過(guò)隨之帶來(lái)的問(wèn)題是沒(méi)有合適的襯底與其晶格匹配。一種有效的方法是采用InP襯底，通過(guò)在其上淀積緩沖層形成“贗襯底”，然后再生長(zhǎng)InxGa1xA

8、s，不過(guò)這樣依然無(wú)法得到非常高性能的材料，存在著很多位錯(cuò)。目前有很多基于此的研究工作，也取得了一些可喜的結(jié)果。InGaAs器件器件目前采用InxGa1xAs材料的探測(cè)器有很多，如InGaAs光伏探測(cè)器，InGaAs雪崩探測(cè)器，InGaAs肖特基探測(cè)器和量子阱探測(cè)器等等。優(yōu)化的探測(cè)器應(yīng)該滿足以下幾點(diǎn)：輕摻雜吸收層；電極無(wú)暗電流貢獻(xiàn)；吸收層表面不暴露；光生載流子遠(yuǎn)離表面等。異質(zhì)結(jié)NpP和Pnn光伏探測(cè)器可以滿足以上幾個(gè)條件，其結(jié)構(gòu)在設(shè)計(jì)時(shí)簡(jiǎn)

9、單，生長(zhǎng)也方便?；贗nxGa1xAs吸收層的NpP或Pnn光伏探測(cè)器，有時(shí)也稱InxGa1xAsPIN探測(cè)器。PIN探測(cè)器材料可以通過(guò)MOCVD或者M(jìn)BE等外延手段生長(zhǎng)而成，器件目前主要有兩種不同結(jié)構(gòu)：臺(tái)面型結(jié)構(gòu)和平面型結(jié)構(gòu)。臺(tái)面型器件是在原位摻雜的PiN結(jié)構(gòu)上通過(guò)刻蝕來(lái)隔離相鄰的器件，這種方式的優(yōu)點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，重復(fù)性好，相鄰器件之間的串音比較少；缺點(diǎn)是刻蝕使得器件側(cè)面失去保護(hù)，器件的暗電流和噪聲特性變差，因而需要有效的臺(tái)面鈍化技術(shù)，