場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

1、場(chǎng)效應(yīng)管工作原理場(chǎng)效應(yīng)管工作原理時(shí)間:20070615來(lái)源:作者:點(diǎn)擊：7148字體大小:【大中小】1.什么叫場(chǎng)效應(yīng)管？什么叫場(chǎng)效應(yīng)管？FET是FieldEffectTransist的縮寫(xiě)即為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電因此稱(chēng)為雙極型晶體管而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電它與雙極型相反也稱(chēng)為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣但不能說(shuō)現(xiàn)在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由

2、于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構(gòu)成技術(shù)性能非常好的電路。2.場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：(a)JFET的概念圖(b)JFET的符號(hào)圖1(b)門(mén)極的箭頭指向?yàn)閜指向n方向，分別表示內(nèi)向?yàn)閚溝道JFET，外向?yàn)閜溝道極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。達(dá)到飽和區(qū)域如圖10.4.2(a)所示，從門(mén)極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱(chēng)為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的

3、一部分阻擋，并不是電流被切斷。在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門(mén)極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。如圖10.4.1(b)所示的那樣，即便再增加VDS，因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，如圖10.4.2(c)所示，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而

4、且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。3.場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)和結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)和結(jié)構(gòu):場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類(lèi)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管（即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMO