半導(dǎo)體物理習(xí)題答案

1、第一章半第一章半導(dǎo)體中的體中的電子狀子狀態(tài)例1.證明:對(duì)于能帶中的電子，K狀態(tài)和K狀態(tài)的電子速度大小相等方向相反。即：v(k)=－v(－k)，并解釋為什么無(wú)外場(chǎng)時(shí)，晶體總電流等于零。解：K狀態(tài)電子的速度為：（1）同理，－K狀態(tài)電子的速度則為：（2）從一維情況容易看出：（3）同理有：（4）（5）將式（3）（4）（5）代入式（2）后得：（6）利用（1）式即得：v(－k)=－v(k)因?yàn)殡娮诱紦?jù)某個(gè)狀態(tài)的幾率只同該狀態(tài)的能量有關(guān)，即：E(k)

2、=E(－k)故電子占有k狀態(tài)和k狀態(tài)的幾率故：能帶寬度（3）能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量：習(xí)題習(xí)題與思考與思考題：1什么叫本征激發(fā)？溫度越高，本征激發(fā)的載流子越多，為什么？試定性說(shuō)明之。2試定性說(shuō)明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。3試指出空穴的主要特征。4簡(jiǎn)述Ge、Si和GaAs的能帶結(jié)構(gòu)的主要特征。5某一維晶體的電子能帶為其中E0=3eV，晶格常數(shù)a=51011m。求：（1）能帶寬度；（2）能帶底和能帶頂?shù)挠行з|(zhì)量。6原子中