半導體物理大綱

1、考研高分咨詢：胡老師xxx121_wzm電話13051415902《半導體物理半導體物理》(科目代碼科目代碼879)考試大綱考試大綱特別提醒：本考試大綱僅適合特別提醒：本考試大綱僅適合2018年碩士研究生入學考試。年碩士研究生入學考試。1考研建議參考書目考研建議參考書目《半導體物理學》(第7版)，劉恩科編著，電子工業(yè)出版社。2基本要求基本要求（1）知曉Si、GaAs、InP、GaN、SiC等半導體材料的晶格結構、能帶特點。（2）掌握晶體

2、材料能帶產(chǎn)生的原因，明確導體、半導體、絕緣體的能帶特點，掌握半導體中電子的狀態(tài)和能帶；掌握布里淵區(qū)、有效質量、空穴等概念及其意義。（3）掌握半導體中雜質所引入的能級，掌握施主雜質、受主雜質、雜質的補償、等電子陷阱、深能級雜質等概念，熟悉點缺陷、位錯等概念。（4）掌握半導體中載流子的統(tǒng)計分布，明確費米能級的意義，明確玻耳茲曼近似的條件與簡并化條件，掌握電子濃度和空穴濃度的計算公式，明確載流子濃度乘積的特性；了解低溫載流子凍析效應、禁帶變窄

3、效應等概念。（5）掌握本征半導體與非本征半導體的載流子分布的特點、基本關系式、溫度特性等，明確多子與少子的概念與特性。（6）掌握載流子遷移率的概念和意義，熟悉載流子散射及其對遷移率的影響；掌握電導率與遷移率和載流子濃度的關系，掌握溫度在其中的作用規(guī)律；明確強電場下載流子的運動特點，熟悉多能谷散射與耿氏效應。（7）掌握載流子的復合與產(chǎn)生、非平衡載流子的壽命、準平衡與準費米能級；熟悉復合理論，明確復合中心與陷阱的特點。。（8）掌握愛因斯坦關

4、系、連續(xù)性方程，掌握非平衡載流子在電場作用下的運動特點。（9）掌握pn結形成機制、能帶圖、結電容，掌握空間電荷區(qū)、接觸電勢差等基本概念；熟悉pn結電流電壓特性，了解pn結電流電壓特性偏離理想方程的因素；熟悉pn結擊穿特點、pn結隧道效應等概念。（10）掌握金屬與半導體接觸下的能級圖、接觸電勢差，掌握表面態(tài)對接觸勢壘的影響，熟悉肖特基二極管概念，熟悉其與pn二極管的不同。（11）熟悉MIS結構的基本特點，熟悉半導體異質結構的產(chǎn)生。（12）

5、掌握霍耳效應，了解半導體發(fā)光的基本原理?？佳懈叻肿稍儯汉蠋焫xx121_wzm電話13051415902《半導體物理半導體物理》(科目代碼科目代碼879)考試大綱考試大綱特別提醒：本考試大綱僅適合特別提醒：本考試大綱僅適合2018年碩士研究生入學考試。年碩士研究生入學考試。1考研建議參考書目考研建議參考書目《半導體物理學》(第7版)，劉恩科編著，電子工業(yè)出版社。2基本要求基本要求（1）知曉Si、GaAs、InP、GaN、SiC等半導體

6、材料的晶格結構、能帶特點。（2）掌握晶體材料能帶產(chǎn)生的原因，明確導體、半導體、絕緣體的能帶特點，掌握半導體中電子的狀態(tài)和能帶；掌握布里淵區(qū)、有效質量、空穴等概念及其意義。（3）掌握半導體中雜質所引入的能級，掌握施主雜質、受主雜質、雜質的補償、等電子陷阱、深能級雜質等概念，熟悉點缺陷、位錯等概念。（4）掌握半導體中載流子的統(tǒng)計分布，明確費米能級的意義，明確玻耳茲曼近似的條件與簡并化條件，掌握電子濃度和空穴濃度的計算公式，明確載流子濃度乘積

7、的特性；了解低溫載流子凍析效應、禁帶變窄效應等概念。（5）掌握本征半導體與非本征半導體的載流子分布的特點、基本關系式、溫度特性等，明確多子與少子的概念與特性。（6）掌握載流子遷移率的概念和意義，熟悉載流子散射及其對遷移率的影響；掌握電導率與遷移率和載流子濃度的關系，掌握溫度在其中的作用規(guī)律；明確強電場下載流子的運動特點，熟悉多能谷散射與耿氏效應。（7）掌握載流子的復合與產(chǎn)生、非平衡載流子的壽命、準平衡與準費米能級；熟悉復合理論，明確復合

8、中心與陷阱的特點。。（8）掌握愛因斯坦關系、連續(xù)性方程，掌握非平衡載流子在電場作用下的運動特點。（9）掌握pn結形成機制、能帶圖、結電容，掌握空間電荷區(qū)、接觸電勢差等基本概念；熟悉pn結電流電壓特性，了解pn結電流電壓特性偏離理想方程的因素；熟悉pn結擊穿特點、pn結隧道效應等概念。（10）掌握金屬與半導體接觸下的能級圖、接觸電勢差，掌握表面態(tài)對接觸勢壘的影響，熟悉肖特基二極管概念，熟悉其與pn二極管的不同。（11）熟悉MIS結構的基本