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文檔簡介
1、?平時成績30%考試成績70%?名詞解釋（2x5=10）簡答與畫圖（8x10=80）計算（1x10=10）名詞解釋名詞解釋p型和n型半導體漂移和擴散簡并半導體異質(zhì)結量子隧穿耗盡區(qū)閾值電壓CMOS歐姆接觸肖特基勢壘接觸簡答與畫圖簡答與畫圖1.從能帶的角度分析金屬、半導體和絕緣體之間的區(qū)別。2.分析pn結電流及耗盡區(qū)寬度與偏壓的關系。3.什么是pn結的整流（單向?qū)щ姡┨匦裕慨嫵隼硐雙n結電流電壓曲線示意圖。4.BJT各區(qū)的結構有何特點？為什
2、么？5.BJT有哪幾種工作模式，各模式的偏置情況怎樣？6.畫出pnpBJT工作在放大模式下的空穴電流分布。7.MOS二極管的金屬偏壓對半導體的影響有哪些？8.MOSFET中的溝道是多子積累、弱反型還是強反型？強反型的判據(jù)是什么？9.當VG大于VT且保持不變時，畫出MOSFET的IV曲線，并畫出在線性區(qū)、非線性區(qū)和飽和區(qū)時的溝道形狀。10.MOSFET的閾值電壓與哪些因素有關？11.半導體存儲器的詳細分類是怎樣的？日常使用的U盤屬于哪種類
3、型的存儲器，畫出其基本單元的結構示意圖，并簡要說明其工作原理。12.畫出不同偏壓下，金屬與n型半導體接觸的能帶圖。13.金屬與半導體可以形成哪兩種類型的接觸？MESFET中的三個金屬半導體接觸分別是哪種類型？14.對于一耗盡型MESFET，畫出VG=00.51V（均大于閾值電壓）時的IV曲線示意圖。15.畫出隧道二極管的IV曲線，并畫出電流為谷值時對應的能帶圖。16.兩能級間的基本躍遷過程有哪些，發(fā)光二極管及激光器的主要躍遷機制分別是哪
4、種？計算計算Pn結的內(nèi)建電勢及耗盡區(qū)寬度5.已知在一理想晶體管中，各電流成分為：IEp=4mA、IEn=0.02mA、ICp=3.95mA、ICn=0.002mA。求共射電流增益β0及ICEO的值。=0.983ICBO=0.34μA=57.8=20μA6.一pnp硅晶體管其射、基、集電極摻雜濃度分別為51018cm3、21017cm3和1016cm3。器件截面積為0.2mm2，基區(qū)寬度為1.0μm，射基結正向偏壓為0.5V。其射、基、集
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