半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)總復(fù)習(xí)

1、半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)總復(fù)習(xí)1雙極型晶體管部分晶體管由兩個pn結(jié)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)將晶體管劃分為三個區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)及集電區(qū)。相應(yīng)的三個電極稱為發(fā)射極、基極和集電極，并用E，B和C(或e，b和c)表示。晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：pnp管和npn管。雙極型NPN晶體管制造過程：1、在N型襯底中擴散P型雜質(zhì)；2、在P型擴散區(qū)中再擴散N型雜質(zhì)；3、在磷氧化層上開出基區(qū)和發(fā)射區(qū)接觸孔；4、蒸發(fā)金屬；5、光刻金屬，引出及區(qū)、發(fā)射區(qū)引線；6、制備集電極電極7、切

2、片、封裝發(fā)射效率nEpEpEnEnEEnEJJJJJJJ?????11?pepbnbbnepeLnDWpD0011???可見提高NeNb，降低R□eR□b可提高發(fā)射效率，使γ接近于1。半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)總復(fù)習(xí)3基極電阻由四部分組成發(fā)射區(qū)下面的電阻；發(fā)射區(qū)和基極金屬電極之間的電阻；基極金屬電極下面部分的電阻；基極金屬電極與半導(dǎo)體的接觸電阻；晶體管的大注入效應(yīng)發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的少數(shù)載流子密度很大且與基區(qū)多數(shù)載流子密度接近，甚至更大的情況。大注入

3、狀態(tài)引發(fā)的效應(yīng)稱為大注入效應(yīng)。晶體管的大注入效應(yīng)有基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)大注入自建電場發(fā)射極電流集邊效應(yīng)BJT部分習(xí)題詳解1，試求圖示電路輸出電流溫度系數(shù)的表達式，然后選定R1，R2和R3的阻值，并使輸出電流I0的大小為1mA，且具有零溫度系數(shù)。假定齊納擊穿電壓為6.2V，晶體管正向基射通態(tài)電壓0.6V，Ix等于50μA，晶體管基極電流均可忽略不計，集成擴散電阻相對溫度系數(shù)2000ppm／?C齊納擊穿電壓的絕對溫度系數(shù)為2.5