1章 常用半導體器件題解

1、第一章題解－1第一章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。（1）在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。（）（2）因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。（）（3）PN結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零。（）（4）處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。（）（5）結(jié)型場效應管外加的柵源電壓應使柵源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點。（

2、）（6）若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會明顯變小。（）解：（1）√（2）（3）√（4）（5）√（6）二、選擇正確答案填入空內(nèi)。（1）PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將。A.變窄B.基本不變C.變寬（2）設二極管的端電壓為U，則二極管的電流方程是。A.ISeUB.C.TUUIeS)1e(S－TUUI（3）穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿（4）當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應為

3、。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（5）UGS＝0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應管有。A.結(jié)型管B.增強型MOS管C.耗盡型MOS管解：（1）A（2）C（3）C（4）B（5）A第一章題解－3五、某晶體管的輸出特性曲線如圖T1.5所示，其集電極最大耗散功率PCM＝200mW，試畫出它的過損耗區(qū)。圖T1.5解圖T1.5解：根據(jù)PCM＝200mW可得：UCE＝40V時IC＝5mA，UCE＝30V時IC≈6

4、.67mA，UCE＝20V時IC＝10mA，UCE＝10V時IC＝20mA，將各點連接成曲線，即為臨界過損耗線，如解圖T1.5所示。臨界過損耗線的左邊為過損耗區(qū)。六、電路如圖T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。試問：（1）Rb＝50kΩ時，uO＝？（2）若T臨界飽和，則Rb≈？解：（1）Rb＝50kΩ時，基極電流、集電極電流和管壓降分別為μA26bBEBBB???RUVIV2mA6.2CCCCCEBC?????R