半導(dǎo)體物理學(xué)(劉恩科第七版)課后習(xí)題解第1章習(xí)題解

1、1半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)第一章習(xí)題第一章習(xí)題(公式要正確顯示，請(qǐng)安裝字體MTextra)1設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價(jià)帶極大值附近能量EV(k)分別為：.......................................................................................12.晶格常數(shù)為0.25nm的一維晶格，當(dāng)外加102Vm，107Vm的電場(chǎng)時(shí)，試分

2、別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。............................................31設(shè)晶格常數(shù)為設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)(k)和價(jià)帶極大值附和價(jià)帶極大值附近能量近能量EV(k)(k)分別為：分別為：0220122021202236)()(3EcmkmkkEmkkmkV?????????0m。試求：為電子慣性質(zhì)量，nmaak314

3、.01???（1）禁帶寬度（2）導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量（3）價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量（4）價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化32.2.晶格常數(shù)為晶格常數(shù)為0.25nm0.25nm的一維晶格，當(dāng)外加的一維晶格，當(dāng)外加10102VmVm，10107VmVm的電場(chǎng)時(shí)，試分的電場(chǎng)時(shí)，試分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。解：根據(jù)：得tkqEf?????qEkt?????satsat13719282199