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1、米勒效應(yīng)的影響:MOSFETMOSFET的柵極驅(qū)動過程,可以簡單的理解為驅(qū)動源對的柵極驅(qū)動過程,可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFETMOSFET的輸入電容(主的輸入電容(主要是柵源極電容要是柵源極電容CgsCgs)的充放電過程;當)的充放電過程;當CgsCgs達到門檻電壓之后,達到門檻電壓之后,MOSFETMOSFET就會就會進入開通狀態(tài);當進入開通狀態(tài);當MOSFETMOSFET開通后,開通后,VdsVds開始下降,開始下降,IdId
2、開始上升,此時開始上升,此時MOSFETMOSFET進入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng),進入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng),VgsVgs會持續(xù)一段時間不再上升,此時會持續(xù)一段時間不再上升,此時IdId已經(jīng)達已經(jīng)達到最大,而到最大,而VdsVds還在繼續(xù)下降,直到米勒電容充滿電,還在繼續(xù)下降,直到米勒電容充滿電,VgsVgs又上升到驅(qū)動電壓又上升到驅(qū)動電壓的值,此時的值,此時MOSFETMOSFET進入電阻區(qū),此時進入電阻區(qū),此時VdsVds徹底降下來,
3、開通結(jié)束。徹底降下來,開通結(jié)束。由于米勒電容阻止了由于米勒電容阻止了VgsVgs的上升,從而也就阻止了的上升,從而也就阻止了VdsVds的下降,這樣就會使損的下降,這樣就會使損耗的時間加長。耗的時間加長。(VgsVgs上升,則導通電阻下降,從而上升,則導通電阻下降,從而VdsVds下降)下降)米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng),在MOS管開通過程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值,過后
4、GS電壓又開始上升直至完全導通。為什么會有穩(wěn)定值這段呢?因為,在MOSMOS開通前,開通前,D極電壓大于極電壓大于G極電壓,極電壓,MOSMOS寄生電容寄生電容CgdCgd儲存的電量需要在其導通時儲存的電量需要在其導通時注入注入G極與其中的電荷中和,因極與其中的電荷中和,因MOSMOS完全導通后完全導通后G極電壓大于極電壓大于D極電壓極電壓。米勒效應(yīng)會嚴重增加MOS的開通損耗。(MOS管不能很快得進入開關(guān)狀態(tài))所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動
5、!!選擇MOS時,Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失。MOSFET中的米勒平臺實際上就是MOSFET處于“放大區(qū)”的典型標志用用示波器測量用用示波器測量GSGS電壓,可以看到在電壓上升過程中有一個平臺或凹坑,這就電壓,可以看到在電壓上升過程中有一個平臺或凹坑,這就是米勒平臺。是米勒平臺。米勒效應(yīng)指在米勒效應(yīng)指在MOSMOS管開通過程會產(chǎn)生米勒平臺管開通過程會產(chǎn)生米勒平臺,原理如下。理論上驅(qū)動電路在G級和S級之間加足夠大的電
6、容可以消除米勒效應(yīng)。但此時開關(guān)時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。下圖中粗黑線中那個平緩部分就是米勒平臺。to~t1:Vgsfrom0toVth.Mosfet沒通.電流由寄生二極管Df.t1~t2:VgsfromVthtoVa.Idt2~t3:Vds下降.引起電流繼續(xù)通過Cgd.Vdd越高越需要的時間越長.Ig為驅(qū)動電流.開始降的比較快.當Vdg接近為零時Cgd增加.直到Vdg變負Cgd增加到最大.下降變慢.
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