4注入效率與電流放大系數(shù)

1、3.3.4 注入效率與電流放大系數(shù),已知從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子電流為：,類(lèi)似地可得從基區(qū)注入發(fā)射區(qū)的空穴電流為：,上式中：,1）注入效率,,,于是可得緩變基區(qū)晶體管的注入效率為：,2）電流放大系數(shù)：,3） 小電流時(shí) 的下降,實(shí)測(cè)表明， 與發(fā)射極電流 IE 有如下圖所示的關(guān)系。,上式中：,原因：發(fā)射結(jié)正向電流很小時(shí)，發(fā)射結(jié)勢(shì)壘區(qū)復(fù)合電流 JrE 的比例增大，使注入效率下降。當(dāng) JrE 不能被忽略時(shí)有：,當(dāng)電流很小，即 VBE

2、很小時(shí)， 很大，使 很小，從而 很小。,隨著電流的增大， 減小，當(dāng) 但仍不能被忽略時(shí)，有：,當(dāng)電流很大時(shí)， 又會(huì)開(kāi)始下降，這是由于大注入效應(yīng)和基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)引起的。,當(dāng)電流繼續(xù)增大到 可以被忽略時(shí)，則有：,4）重?fù)诫s的影響,重?fù)诫s效應(yīng)：當(dāng) NE 太高時(shí)，不但不能提高注入效率 ，反而會(huì)使其下降，從而使 和 下降。

3、 原因：發(fā)射區(qū)禁帶寬度變窄 與 俄歇復(fù)合增強(qiáng)。,對(duì)于室溫下的 Si ：,(1) 禁帶變窄,,,,,,,,,,,,,,,,,,,發(fā)射區(qū)禁帶變窄后，會(huì)使其本征載流子濃度 ni 發(fā)生變化：,發(fā)射區(qū)禁帶變窄,,發(fā)射區(qū)本征載流子濃度增加,,基區(qū)向發(fā)射區(qū)注入的電流增加,注入效率減小,而先增大。但當(dāng) NE 超過(guò) 后， 反而下降，,當(dāng)NE 增大時(shí)，

4、 減小， 增加， 隨NE 增大,,從而導(dǎo)致 與 的下降。,(2) 俄歇復(fù)合增強(qiáng),5）異質(zhì)結(jié)晶體管（HBT）,上式中， ，當(dāng) 時(shí)， ， 則 ：,選擇不同的材料來(lái)制作發(fā)射區(qū)與基區(qū)，使兩區(qū)具有不同的禁帶寬度，則