華南理工大學材料測試技術(shù)歷年真題及答案

1、07年試題及答案年試題及答案1.在X射線衍射中，根據(jù)布拉格方程說明若某一固溶體衍射峰向小小角度偏移，則材料射線衍射中，根據(jù)布拉格方程說明若某一固溶體衍射峰向小小角度偏移，則材料內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生了什么變化？內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生了什么變化？答：根據(jù)布拉格方程2dsinΘ=λ，可以看出由于入射的x射線不變，也就是“λ”不變，隨著衍射峰2Θ的減小，能看出來d值在增大，可以知道內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生了膨脹，使d值變大了。2.WDS與EDS的優(yōu)缺點？有一樣品

2、，分析其中的元素和某一元素的不同區(qū)域分布，分的優(yōu)缺點？有一樣品，分析其中的元素和某一元素的不同區(qū)域分布，分別用哪種分析方法？為什么？要注意哪些問題？別用哪種分析方法？為什么？要注意哪些問題？能譜儀波普儀優(yōu)點a.效率高，分析時間短分辨率高，峰背比高，普峰易分開b.可同時對分析點內(nèi)所有元素進行分析，特別適合做點分析分析元素范圍寬4—92c.儀器結(jié)構(gòu)簡單，穩(wěn)定性和重復性好分析精度高，含量10%以上，精度1%以內(nèi)，適于做定量分析。d.X射線收集

3、效率高，靈敏度高一般做面分析，線分析e.對樣品無特殊要求，可分析粗糙表面f.可用較小的束流，尤其適于與SEM配合使用缺點a.分辨率較低，波峰較寬，易產(chǎn)生重疊效率低，分析時間長，甚至幾小時b.分析元素范圍窄1192經(jīng)過晶體衍射后，X射線能量損失大c.需用液氮冷卻使半導體探頭保持低溫點分析效果不好d.峰背比偏低，定量分析精度不夠理想，含量較大時，分析誤差小于5%；低含量則較差。用電子探針準確度較好。對X射線光子的收集效率很低，導致靈敏度低不

4、能用低束流電子。e.要求試樣表面平整，以滿足聚焦條件原理：原理：入射電子照射試樣，由于能級結(jié)構(gòu)不同，激發(fā)的X射線光子的能量也不同，通過測試X射線光譜的波長和能量來進行元素的定量或定性分析。分析其中某部位的元素用能譜儀，分析某一元素的不同區(qū)域分布用波普儀原因：原因：因為能普儀檢測的X射線能量較高，進行點分析效果比較好，可以一次性對分析點內(nèi)的所有的元素進行分。注意由于分辨率比較低，定量分析準確性不高。b）背散射電子成像背散射電子成像：是原子

5、系數(shù)襯度，是利用對樣品微區(qū)原子系數(shù)或化學成分變化敏感的物理信號作為調(diào)制信號得到的襯度像。特點特點：背散射電子能量很高，不容易改變方向，信號收集率低，因此成像分辨率不高，只有50200nm，一般不能做形貌，只能做成分分布分析。成像原理：成像原理：不同的原子序數(shù)對入射電子的散射作用不同，原子序數(shù)越大，散射作用越大，散射電子量也就越多，成像亮度越高，因此能顯示成分分布的信息。應用應用:適于微區(qū)成分分析，觀察試樣的平均原子系數(shù)和形貌，如在SEM

6、中應用。5.什么是明場像，暗場像？二者的區(qū)別及應用？什么是明場像，暗場像？二者的區(qū)別及應用？明場像明場像：在電鏡成像過程中，讓光闌擋住衍射線而讓透射線透過而成的像。暗場像暗場像：在電鏡成像過程中，讓光闌擋住透射線而讓衍射線透過而成的像。區(qū)別區(qū)別：1）明場像是由透射線成的像，因此衍射強度高的地方在明場像中會很暗，其它部位則比較亮；而暗場像是由衍射線成的像，因此衍射強的地方在暗場像中會很亮，而其他部位則比較暗。2）暗場像的襯度明顯高于明場像

7、應用應用：可以用明暗場像照片對照，方便進行物相鑒定和缺陷分析。例如樣品厚度，樣品變形，晶界，層錯，位錯等對衍射強度的影響，會造成有規(guī)律的消光現(xiàn)象，出現(xiàn)等厚消光條紋，彎曲消光條紋，傾斜晶界條紋，層錯條紋，位錯條紋等衍射襯度，可以利用這些條紋的特征分析樣品的結(jié)構(gòu)和存在的缺陷。6有一納米級薄膜樣品，在基體上分別什么方法分析其化學組成，相組成和表面形貌有一納米級薄膜樣品，在基體上分別什么方法分析其化學組成，相組成和表面形貌（分辨率（分辨率0.0