材料科學(xué)基礎(chǔ) 復(fù)習(xí)題

1、緒論一、填空題1、材料科學(xué)主要研究的核心問(wèn)題是結(jié)構(gòu)和性能的關(guān)系。材料的結(jié)構(gòu)是理解和控制性能的中心環(huán)節(jié)，結(jié)構(gòu)的最微細(xì)水平是原子結(jié)構(gòu)，第二個(gè)水平是原子排列方式，第三個(gè)水平是顯微組織。2.根據(jù)材料的性能特點(diǎn)和用途，材料分為結(jié)構(gòu)材料和功能材料兩大類。根據(jù)原子之間的鍵合特點(diǎn)，材料分為金屬、陶瓷、高分子和復(fù)合材料四大類。第一章材料的原子結(jié)構(gòu)一、填空題1.金屬材料中原子結(jié)合以金屬鍵為主，陶瓷材料（無(wú)機(jī)非金屬材料）以共價(jià)鍵和離子鍵結(jié)合鍵為主，聚合物材料

2、以共價(jià)鍵和氫鍵以及范德華鍵為主。第二章材料的結(jié)構(gòu)一、填空題1、晶體是基元（原子團(tuán)）以周期性重復(fù)方式在三維空間作有規(guī)則的排列的固體。2、晶體與非晶體的最根本區(qū)別是晶體原子排布長(zhǎng)程有序，而非晶體是長(zhǎng)程無(wú)序短程有序。3、晶胞是晶體結(jié)構(gòu)中的最小單位。4、根據(jù)晶體的對(duì)稱性，晶系有三大晶族，七大晶系，十四種布拉菲Bravais點(diǎn)陣，三十二種點(diǎn)群，230種空間群。5、金屬常見(jiàn)的晶格類型有體心立方、面心立方、密排六方。6、fcc晶體的最密排方向?yàn)?，最?/p>

3、排面為111，最密排面的堆垛順序?yàn)锳BCABCABCABC……。7、fcc晶體的致密度為0.74，配位數(shù)為12，原子在（111）面上的原子配位數(shù)為6。8、bcc晶體的最密排方向?yàn)?，最密排面?10，致密度為0.68，配位數(shù)為8。9、晶體的宏觀對(duì)稱要素有對(duì)稱點(diǎn)、對(duì)稱軸、對(duì)稱面。10、CsCl型結(jié)構(gòu)屬于簡(jiǎn)單立方格子，NaCl型結(jié)構(gòu)屬于面心立方格子，CaF2型結(jié)構(gòu)屬于面心立方格子。第三章晶體結(jié)構(gòu)缺陷一、填空題1、按幾何組態(tài)，晶體中的缺陷分為點(diǎn)

4、缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。2、點(diǎn)缺陷主要包括空位、間隙原子、置換原子；線缺陷有位錯(cuò)；面缺陷包括晶界、相界、表面等。3、描述位錯(cuò)性質(zhì)及特征的是柏氏矢量b。4、位錯(cuò)的類型有刃位錯(cuò)、螺位錯(cuò)和混合位錯(cuò)。5、位錯(cuò)線與柏氏矢量垂直的位錯(cuò)為刃位錯(cuò)，位錯(cuò)線與柏氏矢量平行的位錯(cuò)稱為螺位錯(cuò)。6、位錯(cuò)的基本運(yùn)動(dòng)方式有滑移和攀移。7、刃位錯(cuò)可以滑移和攀移，螺位錯(cuò)可以滑移而不攀移，能進(jìn)行交滑移的位錯(cuò)必然是螺位錯(cuò)。8、位錯(cuò)滑移一般沿著晶體的密排（面）和密排（方

5、向）進(jìn)行。9、柏氏矢量實(shí)際上反應(yīng)了位錯(cuò)線周?chē)鷧^(qū)域晶格畸變的大小和方向。10、兩平行同號(hào)螺位錯(cuò)間的作用力為斥力。11、全位錯(cuò)是柏氏矢量等于點(diǎn)陣矢量的位錯(cuò)；不全位錯(cuò)是柏氏矢量不等于點(diǎn)陣矢量的位錯(cuò)。12、面心立方晶體的不全位錯(cuò)類型主要有Shockley不全位錯(cuò)和Franker不全位錯(cuò)，柏氏矢量分別為b=a6，b=a3。只能發(fā)生攀移運(yùn)動(dòng)的位錯(cuò)是Franker不全位錯(cuò)。13、位錯(cuò)間轉(zhuǎn)化（位錯(cuò)反應(yīng)）要滿足的條件有幾何條件：柏氏矢量守恒和能量條件：反