電力電子技術復習題30已補答案

1、一、填空題1、寫出下列電力電子器件的簡稱：電力晶體管GTRGTR；可關斷晶閘管GTOGTO；功率場效應晶體管MOSFETMOSFET；絕緣柵雙極型晶體管IGBTIGBT。2、雙向晶閘管的圖形符號是；3個電極分別是第一陽極第一陽極T1T1，第二陽極第二陽極T2T2，門極門極G。3、晶閘管在其陽極與陰極之間加上正向正向電壓的同時，門極上加上觸發(fā)觸發(fā)電壓，晶閘管就導通。4、從晶閘管開始承受正向電壓起到晶閘管導通之間的電角度稱為控制角控制角，用

2、α表示。5、普通晶閘管的圖形符號是，三個電極分別是陽極陽極A，陰極陰極K和門極門極G。6、直流斬波電路在改變負載的直流電壓時，常用的控制方式有等頻調(diào)寬控制等頻調(diào)寬控制、等寬調(diào)頻等寬調(diào)頻控制控制、脈寬與頻率同時控制脈寬與頻率同時控制三種。7、在單相交流調(diào)壓電路中，負載為電阻性時移相范圍是0→π→π，負載是阻感性時移相范圍是。8、型號為KS1008的元件表示雙向晶閘管雙向晶閘管、它的額定電壓為800800伏、額定有效電流為100100安。9

3、、KP57E表示額定電流為5A，額定電壓為是700700V的普通晶閘管。10、只有當陽極電流小于最小維特最小維特電流時，晶閘管才會由導通轉(zhuǎn)為截止。11、整流是把交流交流電變換為直流直流電的過程；逆變是把直流直流電變換為交流交流電的過程。12、逆變電路分為有源有源逆變電路和無源無源逆變電路兩種。13、逆變角β與控制角α之間的關系為α=πβ。3三、簡答題1、晶閘管與普通二極管、晶體管在控制上有什么區(qū)別？使晶閘管導通和關斷的條件是什么？晶閘管

4、（也稱可控硅）與普通二極管的最大區(qū)別就是可控硅有一個控制極，在可控硅連接正向電壓后，控制極如果得到一個適合的導通電壓（一般是0.6V左右），該可控硅就會導通并保持，控制極失去電壓后可控硅就會關斷。2、試說明IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET各自的優(yōu)缺點。答：IGBT開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率小。開關速度低于電力MOSFET電壓，電流容量不及GTO。GTR耐壓高，

5、電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低。開關速度低，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復雜，存在二次擊穿問題。GTO電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調(diào)制效應，其通流能力很強。電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復雜，開關頻率低。電力MOSFET開關速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題。電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過

6、10kW的電力電子裝置。3、比較說明交直交變頻電路和交交變頻電路的優(yōu)缺點及應用場合？P1314、使變流器工作于有源逆變狀態(tài)的條件是什么？①直流側要有電動勢，其極性須和晶閘管的導通方向一致，其值應大于變流電路直流側的平均電壓；②要求晶閘管的控制角απ2，使Ud為負值。5、單相橋式全控整流電路、三相橋式全控整流電路中，當負載分別為電阻負載或電感負載時，要求的晶閘管移相范圍分別是多少？答：單相橋式全控整流電路，當負載為電阻負載時，要求的晶閘管

7、移相范圍是0~180，當負載為電感負載時，要求的晶閘管移相范圍是0~90。三相橋式全控整流電路，當負載為電阻負載時，要求的晶閘管移相范圍是0~120，當負載為電感負載時，要求的晶閘管移相范圍是0~90。6、維持晶閘管導通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導通變?yōu)殛P斷？答：維持晶閘管導通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導通的最小電流，即維持電流。要使晶閘管由導通變?yōu)殛P斷，可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一