電力電子復(fù)習(xí)題含答案

1、考試試卷考試試卷(1)卷一、填空題（本題共一、填空題（本題共8小題，每空小題，每空1分，共分，共20分）分）1、按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質(zhì)，可將電力電子器件分為_(kāi)___電壓型____和_____電流型___兩類。2、電子技術(shù)包括__信息電子技術(shù)___和電力電子技術(shù)兩大分支，通常所說(shuō)的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身?yè)p耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在____開(kāi)關(guān)_____狀態(tài)。當(dāng)器件的工

2、作頻率較高時(shí)，__開(kāi)關(guān)_______損耗會(huì)成為主要的損耗。3、在PWM控制電路中，載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比稱為_(kāi)_____載波比_______，當(dāng)它為常數(shù)時(shí)的調(diào)制方式稱為_(kāi)____同步____調(diào)制。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段，每個(gè)頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比為桓定的調(diào)制方式稱為_(kāi)____分段同步_______調(diào)制。4、面積等效原理指的是，_____沖量____相等而__形狀_____不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí)，

3、其效果基本相同。5、在GTR、GTO、IGBT與MOSFET中，開(kāi)關(guān)速度最快的是___MOSFET______，單管輸出功率最大的是____GTO_________，應(yīng)用最為廣泛的是___IGBT________。6、設(shè)三相電源的相電壓為U2，三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí)，晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即，其承受的最大正向電壓為。7、逆變電路的負(fù)載如果接到電源，則稱為逆變，如果接到負(fù)載，則稱為逆變。8、如下圖，指出

4、單相半橋電壓型逆變電路工作過(guò)程中各時(shí)間段電流流經(jīng)的通路(用V1VD1V2VD2表示)。(1)0~t1時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)_______；(2)t1~t2時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；(3)t2~t3時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；(4)t3~t4時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；(5)t4~t5時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；二、選擇題（本題共二、選擇題（本題共10小題，前小題，前4題每題題每題2分，其余每題

5、分，其余每題1分，共分，共14分）分）1、單相橋式PWM逆變電路如下圖，單極性調(diào)制工作時(shí)，在電壓的正半周是（）A、V1與V4導(dǎo)通，V2與V3關(guān)斷B、V1常通，V2常斷，V3與V4交替通斷C、V1與V4關(guān)斷，V2與V3導(dǎo)通D、V1常斷，V2常通，V3與V4交替通斷2、對(duì)于單相交流調(diào)壓電路，下面說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A、晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角小于180度B、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時(shí)，必須加寬脈沖或脈沖列觸

6、發(fā)，電路才能正常工作C、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角為180度D、晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角不為180度3、在三相三線交流調(diào)壓電路中，輸出電壓的波形如下圖所示，在t1~t2時(shí)間段內(nèi)，有（）晶閘管導(dǎo)通。A、1個(gè)B、2個(gè)C、3個(gè)D、4個(gè)4、對(duì)于單相交交變頻電路如下圖，在t1~t2時(shí)間段內(nèi)，P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（）A、P組阻斷，N組整流B、P組阻