《集成電路工藝原理芯片制造》課程試題

1、一、填空題（30分=1分30）10題章晶圓制備1用來做芯片的高純硅被稱為（半導體級硅），英文簡稱（GSG），有時也被稱為（電子級硅）。2單晶硅生長常用（CZ法）和（區(qū)熔法）兩種生長方式，生長后的單晶硅被稱為（硅錠）。3晶圓的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（鍺）。4晶圓制備的九個工藝步驟分別是（單晶生長）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蝕、（拋光）、清洗、檢查和包裝。5從半導體制造來講，晶圓中用的最廣的晶體平面的密勒符號是（1

2、00）、（110）和（111）。6CZ直拉法生長單晶硅是把（融化了的半導體級硅液體）變?yōu)椋ㄓ姓_晶向的）并且（被摻雜成p型或n型）的固體硅錠。7CZ直拉法的目的是（實現均勻摻雜的同時并且復制仔晶的結構，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質引入到硅中）。影響CZ直拉法的兩個主要參數是（拉伸速率）和（晶體旋轉速率）。8晶圓制備中的整型處理包括（去掉兩端）、（徑向研磨）和（硅片定位邊和定位槽）。9制備半導體級硅的過程：1（制備工業(yè)硅）；2（生長硅單

3、晶）；3（提純）。氧化10二氧化硅按結構可分為（）和（）或（）。11熱氧化工藝的基本設備有三種：（臥式爐）、（立式爐）和（快速熱處理爐）。12根據氧化劑的不同，熱氧化可分為（干氧氧化）、（濕氧氧化）和（水汽氧化）。13用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分：（工藝腔）、（硅片傳輸系統(tǒng)）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（溫控系統(tǒng)）。14選擇性氧化常見的有（局部氧化）和（淺槽隔離），其英語縮略語分別為LOCOS和（STI）。15列出熱氧化物在

4、硅片制造的4種用途：（摻雜阻擋）、（表面鈍化）、場氧化層和（金屬層間介質）。16可在高溫設備中進行的五種工藝分別是（氧化）、（擴散）、（）、退火和合金。17硅片上的氧化物主要通過（熱生長）和（淀積）的方法產生，由于硅片表面非常平整，使得產生的氧化物主要為層狀結構，所以又稱為（薄膜）。18熱氧化的目標是按照（）要求生長（）、（）的二氧化硅薄膜。19立式爐的工藝腔或爐管是對硅片加熱的場所，它由垂直的（石英工藝腔）、（加熱器）和（石英舟）組成

5、。淀積20目前常用的CVD系統(tǒng)有：（APCVD）、（LPCVD）和（PECVD）。21淀積膜的過程有三個不同的階段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（匯聚成膜）。22縮略語PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名稱分別是（等離子體增強化學氣相淀4420世紀80年代后期，（）開發(fā)了化學機械平坦化的（），簡稱（），并將其用于制造工藝中對半導體硅片的平坦化。45傳統(tǒng)的平坦化技術有（）、（）和（）。46CMP

6、是一種表面（全局平坦化）的技術，它通過硅片和一個拋光頭之間的相對運動來平坦化硅片表面，在硅片和拋光頭之間有（磨料），并同時施加（壓力）。47磨料是精細研磨顆粒和化學品的混合物，在（）中用來磨掉硅片表面的特殊材料。常用的有（）、金屬鎢磨料、（）和特殊應用磨料。48有兩種CPM機理可以解釋是如何進行硅片表面平坦化的：一種是表面材料與磨料發(fā)生化學反應生成一層容易去除的表面層，屬于（）；另一種是（），屬于（）。49反刻屬于（）的一種，表面起伏可

7、以用一層厚的介質或其他材料作為平坦化的犧牲層，這一層犧牲材料填充（），然后用（）技術來刻蝕這一犧牲層，通過用比低處快的刻蝕速率刻蝕掉高處的圖形來使表面的平坦化。光刻50現代光刻設備以光學光刻為基礎，基本包括：（）、光學系統(tǒng)、（）、對準系統(tǒng)和（）。51光刻包括兩種基本的工藝類型：負性光刻和（正性光刻），兩者的主要區(qū)別是所用光刻膠的種類不同，前者是（負性光刻膠），后者是（正性光刻膠）。52寫出下列光學光刻中光源波長的名稱：436nmG線、4

8、05nm（）、365nmI線、248nm（）、193nm深紫外、157nm（）。53光學光刻中，把與掩膜版上圖形（）的圖形復制到硅片表面的光刻是（）性光刻；把與掩膜版上相同的圖形復制到硅片表面的光刻是（）性光刻。54有光刻膠覆蓋硅片的三個生產區(qū)域分別為（）、（）和（）。55I線光刻膠的4種成分分別是（）、（）、（）和添加劑。56對準標記主要有四種：一是（），二是（），三是精對準，四是（）。57光刻使用（）材料和可控制的曝光在硅片表面形成

9、三維圖形，光刻過程的其它說法是（）、光刻、掩膜和（）。58對于半導體微光刻技術，在硅片表面涂上（）來得到一層均勻覆蓋層最常用的方法是旋轉涂膠，其有4個步驟：（）、旋轉鋪開、旋轉甩掉和（）。59光學光刻的關鍵設備是光刻機，其有三個基本目標：（使硅片表面和石英掩膜版對準并聚焦，包括圖形）；（通過對光刻膠曝光，把高分辨率的投影掩膜版上圖形復制到硅片上）；（在單位時間內生產出足夠多的符合產品質量規(guī)格的硅片）。刻蝕60在半導體制造工藝中有兩種基本