2020北京理工大學模擬電路部分考試大綱

1、模擬電路部分（滿分60分）一復習內(nèi)容及基本要求1半導體基礎主要內(nèi)容：半導體基礎知識，PN結(jié)和半導體二極管。雙極型三極管BJT的工作原理、特性、參數(shù)、小信號模型及頻率參數(shù)。場效應晶體管FET的工作原理、特性、參數(shù)、小信號模型?；疽螅赫莆赵恚斫飧拍?，會計算基本參數(shù)。2基本單元電路和輸出級主要內(nèi)容：BJT和FET放大電路的三種基本組態(tài)，直流通路和交流通路，靜態(tài)工作點，放大器的性能參數(shù)的計算。BJT和FET三種基本組態(tài)放大電路的交流小信

2、號分析、性能特點。電流源電路，有源負載放大器的工作原理及其交流小信號分析。差動放大器的工作原理，差模和共模交流小信號分析。5.反饋放大器原理與穩(wěn)定化基礎主要內(nèi)容：反饋極性，理想反饋方塊圖及基本反饋方程式，環(huán)路增益與反饋深度，四種反饋連接方式，負反饋對放大器的性能（輸入電阻，輸出電阻，增益，增益穩(wěn)定性非線性失真，噪聲特性及頻率響應）的影響，負反饋放大器的分析方法，四種負反饋連接方式放大電路的計算。負反饋放大器的不穩(wěn)定性與自激振蕩條件，負反