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文檔簡介
1、1830半導(dǎo)體物理一、考試目的《半導(dǎo)體物理》是微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士研究生入學(xué)考試的科目之一?!栋雽?dǎo)體物理》考試要力求反映微電子碩士學(xué)位的特點,科學(xué)、公平、準(zhǔn)確、規(guī)范地測評考生的基本素質(zhì)和綜合能力,以利于選拔具有發(fā)展?jié)摿Φ膬?yōu)秀人才入學(xué),為我國現(xiàn)代化建設(shè)事業(yè)與微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展培養(yǎng)適應(yīng)我國現(xiàn)代化建設(shè)的實際需求,德智體全面發(fā)展,掌握微電子學(xué)專業(yè)所必需的知識、理論和實驗技能,能在微電子學(xué)及相關(guān)專業(yè)從事科研、教學(xué)、科技開發(fā)、工程技術(shù)、生產(chǎn)管理及
2、行政管理等工作的專門人才。二、考試要求測試考生對半導(dǎo)體物理的基本概念、基礎(chǔ)知識的掌握情況和運用能力。三、考試內(nèi)容1半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)1)半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)2)半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶3)半導(dǎo)體中電子的運動有效質(zhì)量4)半導(dǎo)體的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)空穴5)回旋共振6)硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)7)IIIV族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)8)IIVI族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)2半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級1)硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級2
3、)IIIV族化合物中的雜質(zhì)能級3)缺陷、位錯能級3半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布1)狀態(tài)密度2)費米能級和載流子的統(tǒng)計分布3)本征半導(dǎo)體的載流子濃度4)雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度5)一般情況下的載流子統(tǒng)計分布6)簡并半導(dǎo)體24半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體的導(dǎo)電性1)載流子的漂移運動遷移率2)載流子的散射3)遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系4)電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系5)強電場下的效應(yīng)熱載流子6)歐姆定律的偏離7)多能谷散射耿氏效應(yīng)5非平衡載流子非平衡
4、載流子1)非平衡載流子的注入與復(fù)合2)非平衡載流子的壽命3)準(zhǔn)費米能級4)復(fù)合理論5)陷阱效應(yīng)6)載流子的擴散運動7)載流子的漂移運動愛因斯坦關(guān)系式8)d續(xù)性方程式6半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象1)半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)2)半導(dǎo)體的光吸收3)半導(dǎo)體的光電導(dǎo)4)半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)5)半導(dǎo)體發(fā)光6)半導(dǎo)體激光7半導(dǎo)體磁和壓阻效應(yīng)半導(dǎo)體磁和壓阻效應(yīng)1)霍爾效應(yīng)2)磁光效應(yīng)3)量子化霍爾效應(yīng)四、考試題型與分值堅持
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